ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFR4620PBF
/IRFR4620PBF.jpg)
Datasheet下载- 型号： IRFR4620PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR4620PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR4620PBF价格参考￥3.50-￥3.50。International RectifierIRFR4620PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 24A（Tc） 144W（Tc） D-Pak。您可以下载IRFR4620PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR4620PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFR4620PBF是一款N沟道功率MOSFET，主要应用于需要高效能、低损耗和高可靠性的电力电子设备中。该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于多种应用场景。 1. 电源管理：IRFR4620PBF常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC converters）和不间断电源（UPS）等电源管理系统。其低导通电阻有助于减少传导损耗，提高电源效率，同时快速开关速度能够降低开关损耗，提升整体性能。 2. 电机驱动：在电机控制领域，IRFR4620PBF可用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机和其他类型的电机驱动电路。它能够提供高效的电流切换，确保电机运行平稳，并且具备良好的热稳定性，适合长时间工作。 3. 电池管理系统：在电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV）及便携式电子设备的电池管理系统中，IRFR4620PBF可以作为充放电路径中的开关元件，实现对电池充电和放电过程的有效控制，保障电池的安全性和寿命。 4. 工业自动化：该器件广泛应用于工业自动化设备中的各种控制模块，如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等。它能够在这些系统中执行高速开关操作，支持复杂的工业控制任务。 5. 消费电子产品：在笔记本电脑适配器、智能手机快充模块以及其他消费类电子产品中，IRFR4620PBF也发挥着重要作用，帮助实现紧凑设计的同时保证高效能表现。 总之，Infineon Technologies的IRFR4620PBF凭借其优异的电气特性和可靠性，在众多电力电子应用中展现出色的表现，满足不同行业的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 24A D-PAKMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 24 A |
| Id-连续漏极电流 | 24 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR4620PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR4620PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 144 W |
| Pd-功率耗散 | 144 W |
| Qg-GateCharge | 25 nC |
| Qg-栅极电荷 | 25 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 64 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 64 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1710pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 78 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 144W |
| 功率耗散 | 144 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 64 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 25 nC |
| 标准包装 | 75 |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 24 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Tc） |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
