PD - 95425B IRFR4104PbF IRFU4104PbF HEXFET® Power MOSFET Features D (cid:1) Advanced Process Technology V = 40V DSS (cid:1) Ultra Low On-Resistance (cid:1) 175°C Operating Temperature R = 5.5mΩ (cid:1) Fast Switching DS(on) G (cid:1) Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax (cid:1) Lead-Free ID = 42A S Description This HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on- resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a D-Pak I-Pak wide variety of applications. IRFR4104PbF IRFU4104PbF Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) 119 ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 84 A ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited) 42 IDM Pulsed Drain Current (cid:0) 480 PD @TC = 25°C Power Dissipation 140 W Linear Derating Factor 0.95 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V EAS (Thermally limited) Single Pulse Avalanche Energy(cid:1) 145 mJ EAS (Tested ) Single Pulse Avalanche Energy Tested Value (cid:2) 310 IAR Avalanche Current(cid:3)(cid:0) See Fig.12a, 12b, 15, 16 A EAR Repetitive Avalanche Energy (cid:4) mJ TJ Operating Junction and -55 to + 175 TSTG Storage Temperature Range °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting Torque, 6-32 or M3 screw 10 lbf(cid:6)in (1.1N(cid:6)m) Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case ––– 1.05 RθJA Junction-to-Ambient (PCB mount) (cid:5) ––– 40 °C/W RθJA Junction-to-Ambient ––– 110 HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier. www.irf.com 1 (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:3)(cid:5)(cid:1)

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:3) Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 40 ––– ––– V VGS = 0V, ID = 250µA ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.032 ––– V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 4.3 5.5 mΩ VGS = 10V, ID = 42A (cid:3) VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 ––– 4.0 V VDS = VGS, ID = 250µA gfs Forward Transconductance 58 ––– ––– S V = 10V, I = 42A DS D IDSS Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 20 µA VDS = 40V, VGS = 0V ––– ––– 250 V = 40V, V = 0V, T = 125°C DS GS J IGSS Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 200 nA VGS = 20V Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -200 V = -20V GS Qg Total Gate Charge ––– 59 89 ID = 42A Qgs Gate-to-Source Charge ––– 19 ––– nC VDS = 32V Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– 24 ––– VGS = 10V (cid:3) td(on) Turn-On Delay Time ––– 17 ––– VDD = 20V tr Rise Time ––– 69 ––– ID = 42A td(off) Turn-Off Delay Time ––– 37 ––– ns RG = 6.8 Ω tf Fall Time ––– 36 ––– VGS = 10V (cid:3) LD Internal Drain Inductance ––– 4.5 ––– Between lead, nH 6mm (0.25in.) LS Internal Source Inductance ––– 7.5 ––– from package and center of die contact Ciss Input Capacitance ––– 2950 ––– VGS = 0V Coss Output Capacitance ––– 660 ––– VDS = 25V Crss Reverse Transfer Capacitance ––– 370 ––– pF ƒ = 1.0MHz Coss Output Capacitance ––– 2130 ––– VGS = 0V, VDS = 1.0V, ƒ = 1.0MHz Coss Output Capacitance ––– 590 ––– VGS = 0V, VDS = 32V, ƒ = 1.0MHz Coss eff. Effective Output Capacitance ––– 850 ––– VGS = 0V, VDS = 0V to 32V (cid:2) Source-Drain Ratings and Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current ––– ––– 42 MOSFET symbol (Body Diode) A showing the ISM Pulsed Source Current ––– ––– 480 integral reverse (Body Diode)(cid:0)(cid:1) p-n junction diode. VSD Diode Forward Voltage ––– ––– 1.3 V TJ = 25°C, IS = 42A, VGS = 0V (cid:3) trr Reverse Recovery Time ––– 28 42 ns TJ = 25°C, IF = 42A, VDD = 20V Qrr Reverse Recovery Charge ––– 24 36 nC di/dt = 100A/µs (cid:3) ton Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:3) 1000 (cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:7) 1000 (cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:7) (cid:1)(cid:2) (cid:1)(cid:2) (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:7)(cid:8)(cid:9) (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:7)(cid:8)(cid:9) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:7)(cid:10)(cid:9) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:7)(cid:10)(cid:9) A) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:11)(cid:12)(cid:10)(cid:9) A) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:11)(cid:12)(cid:10)(cid:9) n(t (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:12)(cid:12)(cid:10)(cid:10)(cid:9)(cid:9) n(t (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:12)(cid:12)(cid:10)(cid:10)(cid:9)(cid:9) uerr 100 (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:8)(cid:8)(cid:12)(cid:12)(cid:8)(cid:10)(cid:9)(cid:9) uerr 100 (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:8)(cid:8)(cid:12)(cid:12)(cid:8)(cid:10)(cid:9)(cid:9) Ce (cid:15)(cid:5)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:16)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:17)(cid:12)(cid:8)(cid:9) Ce (cid:15)(cid:5)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:16)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:17)(cid:12)(cid:8)(cid:9) c c ur ur o o S S 4.5V o- o- n-t 10 n-t 10 ai ai Dr Dr ,D 4.5V ,D I 60µs PULSE WIDTH I 60µs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 175°C 1 1 00.1 11 1100 110000 00.1 11 1100 110000 V , Drain-to-Source Voltage (V) V , Drain-to-Source Voltage (V) DS DS Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000 120 TJ = 25°C Α()Cueenrr t 100 TJ = 175°C Snduanecc()t 18000 TJ = 175°C c o our nsc 60 S a o- Tr TJ = 25°C an-ti 10 adr 40 Dr I,D VDS = 20V wFso, r 20 60µs PULSE WIDTH Gf VDS = 10V 1 380µs PULSE WIDTH 4 6 8 10 0 0 20 40 60 80 100 V , Gate-to-Source Voltage (V) GS ID, Drain-to-Source Current (A) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Typical Forward Transconductance Vs. Drain Current www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:3) 5000 20 VCGisSs == C0Vg,s + C f g=d 1, MCHdsZ SHORTED ID= 42A VDS= 32V C = C V) VDS= 20V 4000 Crossss = Cdgsd + Cgd ge( 16 a F) otl ep( 3000 Ciss Ve 12 c c ancti Sour CCapa, 2000 Gaeo--tt 8 Coss , S 4 1000 G V Crss 0 0 0 20 40 60 80 100 1 10 100 Q Total Gate Charge (nC) G VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 1000.0 10000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R (on) DS CAuenrrt () 100.0 TJ = 175°C CAuenrr()t 1010000 Danri 10.0 ouecr 100µsec es TJ = 25°C So- 10 Reevr, SD 1.0 Danr- t, iD 1 Tc = 25°C 11m0msescec I I Tj = 175°C VGS = 0V Single Pulse 0.1 0.1 0 1 10 100 1000 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 V , Source-toDrain Voltage (V) VDS , Drain-toSource Voltage (V) SD Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:3) 2.0 120 LIMITED BY PACKAGE nec ID = 42A 100 assti VGS = 10V e R Aen()t 80 Onec d) 1.5 CDnuarrr I, iD 2460000 DSanoour--rt, iRDSon() mNoaez(r li 01..50 25 50 75 100 125 150 175 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180 TC , Case Temperature (°C) TJ , Junction Temperature (°C) Fig 9. Maximum Drain Current Vs. Fig 10. Normalized On-Resistance Case Temperature Vs. Temperature 10 )C 1 J h t D = 0.50 Z e( 0.20 s mRaepons l 0.1 000...100025 τJτJτ1τ1 R1R1 τ2τR22R2 τCτ R00i (..55°C0462/W78 ) τ00i ..(00s00e04c40)1841 er 0.01 0.01 Ci= τi/Ri Th Ci i/Ri Notes: SINGLE PULSE 1. Duty Factor D = t1/t2 ( THERMAL RESPONSE ) 2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc 0.001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:3) 600 15V mJ) ID y( 500 TOP 9.2A g 13A VDS L DRIVER ner BOTTOM 42A E e 400 h RG D.U.T + nc IAS - VDDA aavl 300 2V0GVS tp 0.01Ω Aes ul P 200 Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit e gl n V(BR)DSS Si 100 tp S , A E 0 25 50 75 100 125 150 175 Starting TJ, Junction Temperature (°C) IAS Fig 12c. Maximum Avalanche Energy Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms Vs. Drain Current Q G (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4) Q Q GS GD 4.0 VG Ve() g a Votl 3.0 ID = 250µA Charge d ol h Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform s e hr SaCmuerreTnytpeReagsulDat.oUr.T. Gea tt 2.0 50KΩ h) 12V .2µF S(t .3µF G V + D.U.T. -VDS 1.0 VGS -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 3mA TJ , Temperature ( °C ) IG ID CurrentSamplingResistors Fig 13b. Gate Charge Test Circuit Fig 14. Threshold Voltage Vs. Temperature 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:3) 1000 Duty Cycle = Single Pulse Allowed avalanche Current vs avalanche pulsewidth, tav 100 A) 0.01 assuming ∆Tj = 25°C due to n(t avalanche losses. Note: In no e case should Tj be allowed to urr 0.05 exceed Tjmax C 10 e 0.10 h c n a al v A 1 0.1 1.0E-06 1.0E-05 1.0E-04 1.0E-03 1.0E-02 tav (sec) Fig 15. Typical Avalanche Current Vs.Pulsewidth 160 Notes on Repetitive Avalanche Curves , Figures 15, 16: TOP Single Pulse (For further info, see AN-1005 at www.irf.com) BOTTOM 1% Duty Cycle 1. Avalanche failures assumption: J) ID = 42A Purely a thermal phenomenon and failure occurs at a my( 120 etevmerpye praatrut rtey pfaer. in excess of Tjmax. This is validated for g er 2. Safe operation in Avalanche is allowed as long asTjmax is En not exceeded. e 3. Equation below based on circuit and waveforms shown in h 80 c Figures 12a, 12b. n a 4. P = Average power dissipation per single al D (ave) v avalanche pulse. A ,RA 40 5 . BvoVlt a=g Rea intecdre barseea kdduoriwnng vaovlatalagnec h(1e.)3. factor accounts for E 6. I = Allowable avalanche current. av 7. ∆T = Allowable rise in junction temperature, not to exceed T (assumed as 25°C in Figure 15, 16). jmax 0 t Average time in avalanche. av = 25 50 75 100 125 150 175 D = Duty cycle in avalanche = t ·f av Starting TJ , Junction Temperature (°C) ZthJC(D, tav) = Transient thermal resistance, see figure 11) P = 1/2 ( 1.3·BV·I ) =(cid:1)(cid:1)T/ Z D (ave) av thJC Fig 16. Maximum Avalanche Energy I =2(cid:1)T/ [1.3·BV·Z ] av th Vs. Temperature E = P ·t AS (AR) D (ave) av www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:3) Driver Gate Drive (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5) P.W. Period D = + P.W. Period (cid:24) (cid:1) (cid:18)(cid:19)(cid:20)(cid:21)(cid:22)(cid:19)(cid:23)(cid:3)(cid:24)(cid:25)(cid:26)(cid:27)(cid:22)(cid:23)(cid:3)(cid:18)(cid:27)(cid:28)(cid:29)(cid:19)(cid:30)(cid:31)(cid:20)(cid:25)(cid:23)(cid:19)(cid:27)(cid:28)(cid:29) VGS=10V • (cid:3)(cid:24)(cid:27) (cid:3)(cid:2)(cid:23)(cid:20)(cid:25)(cid:26)(cid:3)!(cid:28)(cid:30)(cid:22)(cid:21)(cid:23)(cid:25)(cid:28)(cid:21)(cid:31) (cid:3)(cid:3) • (cid:1)(cid:20)(cid:27)(cid:22)(cid:28)(cid:30)(cid:3)(cid:6)"(cid:25)(cid:28)(cid:31) - (cid:3)(cid:3) • (cid:24)(cid:27) (cid:3)(cid:24)(cid:31)(cid:25)#(cid:25)$(cid:31)(cid:3)!(cid:28)(cid:30)(cid:22)(cid:21)(cid:23)(cid:25)(cid:28)(cid:21)(cid:31) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:18)(cid:22)(cid:20)(cid:20)(cid:31)(cid:28)(cid:23)(cid:3)(cid:4)(cid:20)(cid:25)(cid:28)(cid:29)%(cid:27)(cid:20)&(cid:31)(cid:20) D.U.T. ISDWaveform + (cid:3) Reverse (cid:2) Recovery Body Diode Forward - - + Current Currentdi/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:4) dv/dt VDD (cid:7) (cid:22)(cid:1) • (cid:30)()(cid:30)(cid:23)(cid:3)(cid:21)(cid:27)(cid:28)(cid:23)(cid:20)(cid:27)""(cid:31)(cid:30)(cid:3)*(cid:26)(cid:3)+(cid:1) ’’ Re-Applied • ’(cid:20)(cid:19)((cid:31)(cid:20)(cid:3)(cid:29)(cid:25)&(cid:31)(cid:3)(cid:23)(cid:26),(cid:31)(cid:3)(cid:25)(cid:29)(cid:3)’(cid:12)-(cid:12)(cid:4)(cid:12) + Voltage Body Diode Forward Drop • !(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:21)(cid:27)(cid:28)(cid:23)(cid:20)(cid:27)""(cid:31)(cid:30)(cid:3)*(cid:26)(cid:3)’(cid:22)(cid:23)(cid:26)(cid:3).(cid:25)(cid:21)(cid:23)(cid:27)(cid:20)(cid:3)/’/ - Inductor Curent • ’(cid:12)-(cid:12)(cid:4)(cid:12)(cid:3)0(cid:3)’(cid:31)((cid:19)(cid:21)(cid:31)(cid:3)-(cid:28)(cid:30)(cid:31)(cid:20)(cid:3)(cid:4)(cid:31)(cid:29)(cid:23) Ripple ≤ 5% ISD (cid:24)(cid:6)(cid:7) (cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:7)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:6)(cid:13)(cid:11)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:6)(cid:13)(cid:17)(cid:18)(cid:17)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:17)(cid:18)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:21) (cid:1)(cid:2) Fig 17. (cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:6)(cid:3)(cid:13)(cid:6)(cid:14)(cid:11)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:17)(cid:3)(cid:12)(cid:15)(cid:18)(cid:12)(cid:19)(cid:3)(cid:20)(cid:6)(cid:21)(cid:19)(cid:3)(cid:22)(cid:10)(cid:16)(cid:14)(cid:23)(cid:10)(cid:19)(cid:3)for N-Channel HEXFET(cid:1)(cid:3)Power MOSFETs (cid:22) ’ (cid:7) ’(cid:2) (cid:7) (cid:1)(cid:2) (cid:20)(cid:23)(cid:24)(cid:23)(cid:25)(cid:23) (cid:22) (cid:1) +(cid:7) - ’’ (cid:5)(cid:1)(cid:7) (cid:6)(cid:22)"(cid:29)(cid:31)(cid:3)1(cid:19)(cid:30)(cid:23)2(cid:3)≤ 1 3(cid:29) ’(cid:22)(cid:23)(cid:26)(cid:3).(cid:25)(cid:21)(cid:23)(cid:27)(cid:20)(cid:3)≤ 0.1 % Fig 18a. Switching Time Test Circuit VDS 90% 10% VGS td(on) tr td(off) tf Fig 18b. Switching Time Waveforms 8 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:24)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:25)(cid:6)(cid:9)(cid:26)(cid:15)(cid:27)(cid:17)(cid:18)(cid:25) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:11)(cid:7)(cid:12)(cid:5)(cid:8)(cid:2)(cid:5)(cid:8)(cid:3)(cid:2)(cid:13)(cid:13)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:15)(cid:2)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:17) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:14)(cid:5)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:4)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:18) EXAMPLE: THIS IS AN IRFR120 PART NUMBER WITH ASSEMBLY INTERNATIONAL LOT CODE 1234 RECTIFIER IRFR120 DATE CODE ASSEMBLED ON WW 16, 2001 LOGO 116A YEAR 1 = 2001 IN THE ASSEMBLY LINE "A" 12 34 WEEK 16 LINE A Note: "P" in assembly line position ASSEMBLY indicates "Lead-Free" LOT CODE "P" in assembly line position indicates "Lead-Free" qualification to the consumer-level PART NUMBER OR INTERNATIONAL DATE CODE RECTIFIER IRFR120 P = DESIGNATES LEAD-FREE LOGO PRODUCT (OPTIONAL) 12 34 P = DESIGNATES LEAD-FREE ASSEMBLY PRODUCT QUALIFIED TO THE CONSUMER LEVEL (OPTIONAL) LOT CODE YEAR 1 = 2001 WEEK 16 A = ASSEMBLY SITE CODE Notes: 1.For an Automotive Qualified version of this part please see http://www.irf.com/product-info/datasheets/ data/auirfr4104.pdf 2.For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/ www.irf.com 9

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:3) (cid:20)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:28)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:24)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:25)(cid:6)(cid:9)(cid:26)(cid:15)(cid:27)(cid:17)(cid:18)(cid:25) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:11)(cid:7)(cid:12)(cid:5)(cid:8)(cid:2)(cid:5)(cid:8)(cid:3)(cid:2)(cid:13)(cid:13)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:15)(cid:2)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:17) (cid:20)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:28)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:14)(cid:5)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:4)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:18) EXAMPLE: THIS IS AN IRFU120 PART NUMBER INTERNATIONAL WITH ASSEMBLY LOT CODE 5678 RECTIFIER IRFU120 DATE CODE LOGO 119A YEAR 1 = 2001 ASSEMBLED ON WW 19, 2001 56 78 WEEK 19 IN THE ASSEMBLY LINE "A" LINE A ASSEMBLY LOT CODE Note: "P" in assembly line position indicates Lead-Free" OR PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER IRFU120 DATE CODE LOGO P = DESIGNATES LEAD-FREE PRODUCT (OPTIONAL) 56 78 YEAR 1 = 2001 ASSEMBLY LOT CODE WEEK 19 A = ASSEMBLY SITE CODE Notes: 1.For an Automotive Qualified version of this part please see http://www.irf.com/product-info/datasheets/ data/auirfr4104.pdf 2.For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/ 10 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:8)(cid:4)(cid:29)(cid:25)(cid:6)(cid:30)(cid:6)(cid:31)(cid:25)(cid:25)(cid:27)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:4)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:18) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:11)(cid:7)(cid:12)(cid:5)(cid:8)(cid:2)(cid:5)(cid:8)(cid:3)(cid:2)(cid:13)(cid:13)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:15)(cid:2)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:17) TR TRR TRL 16.3 ( .641 ) 16.3 ( .641 ) 15.7 ( .619 ) 15.7 ( .619 ) 12.1 ( .476 ) FEED DIRECTION 8.1 ( .318 ) FEED DIRECTION 11.9 ( .469 ) 7.9 ( .312 ) NOTES : 1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER. 2. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS ( INCHES ). 3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541. 13 INCH 16 mm NOTES : 1. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481. (cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11) (cid:4)(cid:6)Repetitive rating; pulse width limited by (cid:2) Coss eff. is a fixed capacitance that gives the same charging time max. junction temperature. (See fig. 11). as Coss while VDS is rising from 0 to 80% VDSS . (cid:3) (cid:6)Limited by TJmax, starting TJ = 25°C, L = 0.16mH (cid:1)(cid:2)Limited by TJmax , see Fig.12a, 12b, 15, 16 for typical repetitive RG = 25Ω, IAS = 42A, VGS =10V. Part not avalanche performance. recommended for use above this value. (cid:3)(cid:2)This value determined from sample failure population. 100% (cid:1)Pulse width ≤ 1.0ms; duty cycle ≤ 2%. tested to this value in production. (cid:4)(cid:6)(cid:6) When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) . For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994 Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for the Industrial market. Qualification Standards can be found on IR’s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information.09/2010 www.irf.com 11

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRFR4104PBF IRFR4104TRPBF IRFR4104TRLPBF IRFR4104TRRPBF