ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRFR4104PBF
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRFR4104PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR4104PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR4104PBF价格参考。International RectifierIRFR4104PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR4104PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR4104PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFR4104PBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 开关电源 IRFR4104PBF常用于开关电源中的功率转换电路,如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。它能够高效地控制电流的通断,实现电压和电流的调节。由于其低导通电阻(Rds(on))特性,能够在高频工作时减少功耗,提高电源效率。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中,IRFR4104PBF可以作为驱动信号的开关元件,控制电机的启动、停止和调速。它的快速开关速度和低损耗特性使其适合用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机等小型电机的驱动电路中。 3. 逆变器 在光伏逆变器或UPS(不间断电源)系统中,IRFR4104PBF可以用作逆变电路的核心开关器件。通过精确控制其栅极电压,可以将直流电转换为交流电,满足不同负载的需求。其高耐压(Vds = 55V)和大电流能力(Id = 87A)使得它能够在较高功率的应用中稳定工作。 4. 电池管理系统(BMS) 在电池管理系统中,IRFR4104PBF可以用于电池充放电的保护电路。它可以在检测到过流、短路等异常情况时迅速切断电流,保护电池组的安全。其低导通电阻有助于减少发热,延长电池寿命。 5. 汽车电子 在汽车电子领域,IRFR4104PBF可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)、车身控制模块(BCM)等。它能够在高温环境下保持稳定的性能,并且具有良好的抗电磁干扰能力,确保车辆电气系统的可靠运行。 6. 消费电子产品 在消费电子产品中,如智能手机充电器、平板电脑电源适配器等,IRFR4104PBF可以用于电源管理电路,提供高效的电源转换和保护功能。其紧凑的封装形式(TO-252(DPAK))也使其适合用于对空间要求较高的便携式设备。 总之,IRFR4104PBF凭借其优异的电气性能和可靠性,适用于多种电力电子应用,尤其是在需要高效、快速响应和低功耗的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 40V 42A DPAKMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 59nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 119 A |
Id-连续漏极电流 | 119 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR4104PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFR4104PBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 140 W |
Pd-功率耗散 | 140 W |
Qg-GateCharge | 59 nC |
Qg-栅极电荷 | 59 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 5.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
上升时间 | 69 ns |
下降时间 | 36 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2950pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 89nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.5 毫欧 @ 42A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
典型关闭延迟时间 | 37 ns |
功率-最大值 | 140W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 75 |
正向跨导-最小值 | 58 S |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 42A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru4104.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru4104.spi |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |