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  • 型号: IRFR4104PBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRFR4104PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR4104PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR4104PBF价格参考。International RectifierIRFR4104PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR4104PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR4104PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRFR4104PBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面:

 1. 开关电源
IRFR4104PBF常用于开关电源中的功率转换电路,如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。它能够高效地控制电流的通断,实现电压和电流的调节。由于其低导通电阻(Rds(on))特性,能够在高频工作时减少功耗,提高电源效率。

 2. 电机驱动
在电机驱动应用中,IRFR4104PBF可以作为驱动信号的开关元件,控制电机的启动、停止和调速。它的快速开关速度和低损耗特性使其适合用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机等小型电机的驱动电路中。

 3. 逆变器
在光伏逆变器或UPS(不间断电源)系统中,IRFR4104PBF可以用作逆变电路的核心开关器件。通过精确控制其栅极电压,可以将直流电转换为交流电,满足不同负载的需求。其高耐压(Vds = 55V)和大电流能力(Id = 87A)使得它能够在较高功率的应用中稳定工作。

 4. 电池管理系统(BMS)
在电池管理系统中,IRFR4104PBF可以用于电池充放电的保护电路。它可以在检测到过流、短路等异常情况时迅速切断电流,保护电池组的安全。其低导通电阻有助于减少发热,延长电池寿命。

 5. 汽车电子
在汽车电子领域,IRFR4104PBF可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)、车身控制模块(BCM)等。它能够在高温环境下保持稳定的性能,并且具有良好的抗电磁干扰能力,确保车辆电气系统的可靠运行。

 6. 消费电子产品
在消费电子产品中,如智能手机充电器、平板电脑电源适配器等,IRFR4104PBF可以用于电源管理电路,提供高效的电源转换和保护功能。其紧凑的封装形式(TO-252(DPAK))也使其适合用于对空间要求较高的便携式设备。

总之,IRFR4104PBF凭借其优异的电气性能和可靠性,适用于多种电力电子应用,尤其是在需要高效、快速响应和低功耗的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 40V 42A DPAKMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 59nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

119 A

Id-连续漏极电流

119 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR4104PBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRFR4104PBF

PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

140 W

Pd-功率耗散

140 W

Qg-GateCharge

59 nC

Qg-栅极电荷

59 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

5.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

5.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2 V to 4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2 V to 4 V

上升时间

69 ns

下降时间

36 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2950pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

89nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.5 毫欧 @ 42A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

典型关闭延迟时间

37 ns

功率-最大值

140W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

75

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

75

正向跨导-最小值

58 S

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

42A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru4104.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru4104.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single

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