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  • 型号: IRFR3707ZTRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR3707ZTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR3707ZTRPBF价格参考。International RectifierIRFR3707ZTRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR3707ZTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR3707ZTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 56A DPAKMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 9.6nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

56 A

Id-连续漏极电流

56 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR3707ZTRPBFHEXFET®

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产品型号

IRFR3707ZTRPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

50 W

Pd-功率耗散

50 W

Qg-GateCharge

9.6 nC

Qg-栅极电荷

9.6 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

9.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

9.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.35 V to 2.35 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.35 V to 2.35 V

上升时间

11 ns

下降时间

3.3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.25V @ 25µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1150pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

14nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

9.5 毫欧 @ 15A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

*IRFR3707ZTRPBF
IRFR3707ZPBFCT
IRFR3707ZPBFCT-ND

典型关闭延迟时间

12 ns

功率-最大值

50W

功率耗散

50 W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

9.5 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

9.6 nC

标准包装

1

正向跨导-最小值

71 S

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

56 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

56A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

20 V

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