【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IRFR3411TRPBF】封装/厂家_IRFR3411TRPBF中文资料_价格

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型号： IRFR3411TRPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IRFR3411TRPBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR3411TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR3411TRPBF价格参考。International RectifierIRFR3411TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 100V 32A（Tc） 130W（Tc） D-Pak。您可以下载IRFR3411TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR3411TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 100V 32A DPAKMOSFET MOSFT 100V 32A 44mOhm 48nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	32 A
Id-连续漏极电流	32 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR3411TRPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRFR3411TRPBF
Pd-PowerDissipation	130 W
Pd-功率耗散	130 W
Qg-GateCharge	71 nC
Qg-栅极电荷	71 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	44 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	44 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	4 V
Vgsth-栅源极阈值电压	4 V
上升时间	35 ns
下降时间	35 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1960pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	71nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	44 毫欧 @ 16A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D-Pak
其它名称	IRFR3411TRPBFCT
典型关闭延迟时间	39 ns
功率-最大值	130W
包装	剪切带（CT）
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	2000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	21 S
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	32A （Tc）
配置	Single