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  • 型号: IRFR320TRPBF
  • 制造商: Vishay
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IRFR320TRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR320TRPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR320TRPBF价格参考。VishayIRFR320TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 400V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR320TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR320TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAKMOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

3.1 A

Id-连续漏极电流

3.1 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?91273

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFR320TRPBF-

数据手册

http://www.vishay.com/doc?91273

产品型号

IRFR320TRPBFIRFR320TRPBF

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.8 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.8 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

400 V

Vds-漏源极击穿电压

400 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

14 ns

下降时间

13 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

350pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.8 欧姆 @ 1.9A,10V

产品目录页面

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产品种类

Single-Gate MOSFET Transistors

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

*IRFR320TRPBF
IRFR320PBFCT

典型关闭延迟时间

30 ns

功率-最大值

2.5W

功率耗散

2.5 W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

1.8 Ohms

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

400 V

漏极连续电流

3.1 A

漏源极电压(Vdss)

400V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.1A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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