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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR2905ZPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR2905ZPBF价格参考。International RectifierIRFR2905ZPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR2905ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR2905ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFR2905ZPBF是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管 - FET,MOSFET - 单一类别。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):IRFR2905ZPBF常用于开关电源中作为开关器件,提供高效的电压转换和电流控制。 - DC-DC转换器:适用于降压或升压电路,用于调节输出电压以满足负载需求。 - 电池充电器:在充电电路中用作开关或同步整流器件,提高充电效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动 - 直流电机控制:用于驱动小型直流电机,实现速度和方向的精确控制。 - H桥电路:在H桥电路中用作开关元件,实现电机的正转、反转和制动功能。 - 无刷直流电机 (BLDC):作为逆变器的一部分,用于驱动BLDC电机。 3. 工业自动化 - 继电器替代:在工业控制系统中,用作固态继电器,实现快速、可靠且低功耗的开关操作。 - 电磁阀驱动:用于控制电磁阀的开启和关闭,适用于液压、气动系统等。 4. 汽车电子 - 车载电子设备:如车窗升降器、座椅调节器、雨刮器等需要大电流驱动的应用。 - LED驱动:用于高亮度LED灯的驱动电路,确保稳定的工作电流。 - 启动和停止系统:支持汽车发动机的启停功能,优化燃油效率。 5. 消费电子产品 - 家电控制:如空调、冰箱、洗衣机中的压缩机或风扇控制。 - 音频放大器:在D类音频放大器中用作开关元件,提供高效的声音输出。 6. 通信设备 - 基站电源:用于通信基站的电源模块中,提供稳定的电压输出。 - 信号切换:在射频前端模块中用作信号路径的切换开关。 特性总结 IRFR2905ZPBF具有低导通电阻(Rds(on))、高击穿电压(Vds)和快速开关速度等特点,适合需要高效能、低损耗和高可靠性的应用场合。其广泛应用于电力电子、工业控制、汽车电子和消费类电子产品等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 55V 42A DPAKMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 14.5mOhms 29nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 59 A |
Id-连续漏极电流 | 59 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR2905ZPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFR2905ZPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 110 W |
Pd-功率耗散 | 110 W |
Qg-GateCharge | 29 nC |
Qg-栅极电荷 | 29 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 14.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 14.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 66 ns |
下降时间 | 35 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1380pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14.5 毫欧 @ 36A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
典型关闭延迟时间 | 31 ns |
功率-最大值 | 110W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 75 |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 42A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru2905z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru2905z.spi |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |