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  • 型号: IRFR24N15DPBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRFR24N15DPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR24N15DPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR24N15DPBF价格参考。International RectifierIRFR24N15DPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 24A(Tc) 140W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR24N15DPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR24N15DPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFR24N15DPBF 是由英飞凌科技(Infineon Technologies)生产的晶体管,属于FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中的单个器件。该型号的具体应用场景包括但不限于以下几个方面:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):IRFR24N15DPBF 可用于设计高效、可靠的开关电源,适用于工业设备、家用电器和计算机电源等场景。
   - DC-DC 转换器:在需要高效率和低损耗的 DC-DC 转换电路中,这款 MOSFET 可作为主开关或同步整流器使用。

 2. 电机驱动
   - 无刷直流电机 (BLDC) 驱动:该器件可用于控制 BLDC 电机的功率输出,广泛应用于电动工具、无人机、电动车和家用电器(如风扇、洗衣机)。
   - 步进电机驱动:在需要精确控制的步进电机应用中,IRFR24N15DPBF 可提供稳定的电流和电压输出。

 3. 逆变器
   - 太阳能逆变器:在小型光伏系统中,该 MOSFET 可用于将直流电转换为交流电,提高能量转换效率。
   - UPS(不间断电源):在 UPS 系统中,这款器件可以用于逆变电路和电池充放电管理。

 4. 负载开关与保护电路
   - 过流保护:利用其低导通电阻特性,IRFR24N15DPBF 可用作负载开关,同时实现过流保护功能。
   - 短路保护:在需要快速响应的短路保护电路中,该器件能够有效限制电流并保护后端设备。

 5. 汽车电子
   - 车载电子设备:例如车窗升降器、座椅调节器、雨刮器等需要小功率驱动的应用。
   - LED 照明驱动:在汽车 LED 灯具中,该 MOSFET 可用于调光和恒流驱动。

 6. 消费电子产品
   - 充电器与适配器:在便携式设备的充电器中,IRFR24N15DPBF 可用于提升充电效率和减少发热。
   - 音频放大器:在功率放大电路中,该器件可作为开关元件,确保音频信号的稳定输出。

 特性优势
- 低导通电阻:降低功耗,提高整体效率。
- 高耐压能力:额定电压为 150V,适合高压环境下的应用。
- 快速开关速度:减少开关损耗,适用于高频电路。

综上所述,IRFR24N15DPBF 在各种电力电子设备中具有广泛的应用前景,尤其适合对效率、可靠性和性能有较高要求的场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

Ciss-输入电容

890 pF

描述

MOSFET N-CH 150V 24A DPAKMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 95mOhms 30nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

24 A

Id-连续漏极电流

24 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR24N15DPBFHEXFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRFR24N15DPBF

Pd-PowerDissipation

140 W

Pd-功率耗散

140 W

Qg-GateCharge

30 nC

Qg-栅极电荷

30 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

95 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

82 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

150 V

Vds-漏源极击穿电压

150 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-栅源极阈值电压

5 V

上升时间

53 ns

下降时间

15 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

890pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

45nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

95 毫欧 @ 14A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

*IRFR24N15DPBF

典型关闭延迟时间

19 ns

功率-最大值

140W

功率耗散

140 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

95 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

75

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

30 nC

标准包装

75

正向跨导-最小值

8.2 S

汲极/源极击穿电压

150 V

漏极连续电流

24 A

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

24A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfr24n15d.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfr24n15d.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

30 V

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