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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR2405PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR2405PBF价格参考。International RectifierIRFR2405PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 55V 56A(Tc) 110W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR2405PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR2405PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFR2405PBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),其主要应用场景广泛应用于需要高效功率控制和开关操作的电路中。以下是该型号MOSFET的一些典型应用场景: 1. 电源管理:IRFR2405PBF常用于开关电源(SMPS)的设计中,作为主开关管或同步整流器。它能够承受较高的电压和电流,提供高效的电源转换效率,适用于AC-DC转换器、DC-DC转换器等。 2. 电机驱动:在电机控制系统中,IRFR2405PBF可用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机(BLDC)。它可以实现快速的开关动作,确保电机的精确控制和高效运行,同时降低能耗。 3. 逆变器和变频器:该MOSFET适合用于逆变器和变频器中,用于将直流电转换为交流电,或调节交流电的频率和电压。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高系统的整体效率。 4. 电池管理系统(BMS):在电池管理系统中,IRFR2405PBF可以用于电池充放电保护电路,通过快速切换来防止过充、过放、短路等问题,确保电池的安全和寿命。 5. 汽车电子:在汽车电子系统中,如电动助力转向(EPS)、车载充电器、LED照明等应用中,IRFR2405PBF能够提供可靠的功率控制和保护功能,满足汽车级可靠性要求。 6. 工业自动化:在工业自动化设备中,如PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器等,IRFR2405PBF可用于信号放大、负载驱动等场合,确保系统的稳定性和响应速度。 7. 消费电子产品:在一些消费电子产品中,如笔记本电脑适配器、智能家居设备等,IRFR2405PBF同样可以发挥其高效、低损耗的优势,提升产品的性能和用户体验。 总之,IRFR2405PBF凭借其出色的电气特性,广泛应用于各种需要高效功率控制和开关操作的领域,尤其适合对可靠性和效率有较高要求的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 55V 56A DPAKMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 70nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 56 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR2405PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFR2405PBF |
Pd-PowerDissipation | 110 W |
Pd-功率耗散 | 110 W |
Qg-GateCharge | 70 nC |
Qg-栅极电荷 | 70 nC |
RdsOn-漏源导通电阻 | 16 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 130 ns |
下降时间 | 78 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2430pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 16 毫欧 @ 34A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
典型关闭延迟时间 | 55 ns |
功率-最大值 | 110W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 16 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 75 |
汲极/源极击穿电压 | 55 V |
漏极连续电流 | 56 A |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 56A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr2405.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr2405.spi |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |