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  • 型号: IRFR210TRPBF
  • 制造商: Vishay
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IRFR210TRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR210TRPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR210TRPBF价格参考。VishayIRFR210TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 2.6A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR210TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR210TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAKMOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.6 A

Id-连续漏极电流

2.6 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFR210TRPBF-

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产品型号

IRFR210TRPBFIRFR210TRPBF

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.5 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.5 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

17 ns

下降时间

8.9 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

140pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8.2nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.5 欧姆 @ 1.6A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

IRFR210PBFDKR

典型关闭延迟时间

14 ns

功率-最大值

2.5W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.6A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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