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  • 型号: IRFR18N15DTRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR18N15DTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR18N15DTRPBF价格参考。International RectifierIRFR18N15DTRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR18N15DTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR18N15DTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 150V 18A DPAKMOSFET MOSFT 150V 18A 125mOhm 28nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

18 A

Id-连续漏极电流

18 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR18N15DTRPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRFR18N15DTRPBF

Pd-PowerDissipation

110 W

Pd-功率耗散

110 W

Qg-GateCharge

28 nC

Qg-栅极电荷

28 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

125 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

125 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

150 V

Vds-漏源极击穿电压

150 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

900pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

43nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

125 毫欧 @ 11A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

IRFR18N15DTRPBFDKR

功率-最大值

110W

包装

Digi-Reel®

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

18A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr18n15d.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr18n15d.spi

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