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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR18N15DTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR18N15DTRPBF价格参考。International RectifierIRFR18N15DTRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR18N15DTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR18N15DTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 150V 18A DPAKMOSFET MOSFT 150V 18A 125mOhm 28nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
Id-连续漏极电流 | 18 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR18N15DTRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFR18N15DTRPBF |
Pd-PowerDissipation | 110 W |
Pd-功率耗散 | 110 W |
Qg-GateCharge | 28 nC |
Qg-栅极电荷 | 28 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 125 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 125 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 125 毫欧 @ 11A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | IRFR18N15DTRPBFDKR |
功率-最大值 | 110W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr18n15d.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr18n15d.spi |