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Datasheet下载- 型号： IRFR13N20DTRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR13N20DTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR13N20DTRPBF价格参考￥3.47-￥4.50。International RectifierIRFR13N20DTRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak。您可以下载IRFR13N20DTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR13N20DTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFR13N20DTRPBF是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于FET（场效应晶体管）类别。它广泛应用于需要高效、可靠开关和功率管理的场景中，具体应用场景包括但不限于以下几类： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：该MOSFET适用于各种DC-DC转换器电路，如降压、升压或升降压转换器。它能够高效地控制电流的开关，确保电压稳定输出，同时减少能量损耗。 - 开关电源（SMPS）：在开关电源中，IRFR13N20DTRPBF可以作为主开关管，用于高频开关操作，帮助实现高效的能量转换。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机（BLDC）：在电机驱动应用中，MOSFET用于控制电机绕组的通断，实现精确的速度和位置控制。IRFR13N20DTRPBF的低导通电阻特性有助于降低发热，提高效率。 - 步进电机驱动：该MOSFET也可用于步进电机驱动电路，提供快速响应和高精度控制。 3. 电池管理系统（BMS） - 在电池管理系统中，MOSFET用于电池充放电的保护电路，防止过流、短路等异常情况。IRFR13N20DTRPBF的高可靠性使其成为此类应用的理想选择。 4. 工业自动化 - PLC（可编程逻辑控制器）：在工业自动化设备中，MOSFET常用于PLC的输入输出模块，控制外部设备的开关状态。 - 伺服控制系统：MOSFET可用于伺服系统的功率级，实现精确的位置和速度控制。 5. 消费电子 - 笔记本电脑适配器：在便携式电子设备的电源适配器中，MOSFET用于功率转换和稳压电路，确保设备安全稳定运行。 - 智能家居设备：如智能插座、智能灯控等设备中，MOSFET用于控制电器的开关，实现远程控制和节能管理。 6. 汽车电子 - 车载充电器：在电动汽车或混合动力汽车中，MOSFET用于车载充电器的功率转换部分，确保电池充电的安全性和效率。 - 车身控制模块（BCM）：MOSFET用于控制车灯、雨刷等车身电气系统，提供可靠的开关功能。 总的来说，IRFR13N20DTRPBF凭借其低导通电阻、高开关频率和可靠性，适用于多种电力电子设备和系统中的功率管理和开关控制任务。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 13A DPAKMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 14 A |
| Id-连续漏极电流 | 14 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR13N20DTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR13N20DTRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 25 nC |
| Qg-栅极电荷 | 25 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 235 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 235 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 830pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 235 毫欧 @ 8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | IRFR13N20DPBFTR |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 功率耗散 | 110 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 235 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 25 nC |
| 标准包装 | 2,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 14 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr13n20d.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr13n20d.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 30 V |
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