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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR13N20DTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR13N20DTRPBF价格参考¥3.47-¥4.50。International RectifierIRFR13N20DTRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR13N20DTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR13N20DTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFR13N20DTRPBF是一款由英飞凌(Infineon)生产的增强型N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的电路中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 电源管理 该器件常用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC Converter)等电源管理系统中。由于其低导通电阻(Rds(on)),可以有效减少功率损耗,提高转换效率。在这些应用中,IRFR13N20DTRPBF能够快速响应负载变化,提供稳定的电压输出。 2. 电机驱动 在电机控制领域,特别是无刷直流电机(BLDC)和步进电机驱动中,IRFR13N20DTRPBF可以作为驱动电路中的关键元件。它能够承受较大的电流波动,并且具有良好的热稳定性,确保电机在不同工作条件下的可靠运行。 3. 电池管理系统(BMS) 在电池管理系统中,该MOSFET可用于电池充放电保护电路。通过精确控制充电和放电路径,防止过充、过放及短路等情况的发生,从而延长电池寿命并提高安全性。 4. 逆变器与变频器 在光伏逆变器、工业变频器等设备中,IRFR13N20DTRPBF被用来实现高效的功率转换。它能够在高频条件下稳定工作,支持高频率的PWM调制,使得逆变器和变频器能够更高效地调节输出电压和频率。 5. 汽车电子 随着电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的发展,IRFR13N20DTRPBF也被应用于车载电子系统中,如电动助力转向(EPS)、空调压缩机控制等场景。它具备较高的耐用性和可靠性,适应恶劣的工作环境。 总之,IRFR13N20DTRPBF凭借其优异的电气性能,在多种电力电子应用中发挥着重要作用,尤其适合那些对效率、可靠性和成本有较高要求的产品设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 200V 13A DPAKMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 14 A |
Id-连续漏极电流 | 14 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR13N20DTRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFR13N20DTRPBF |
Pd-PowerDissipation | 110 W |
Pd-功率耗散 | 110 W |
Qg-GateCharge | 25 nC |
Qg-栅极电荷 | 25 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 235 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 235 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 27 ns |
下降时间 | 10 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 830pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 235 毫欧 @ 8A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | IRFR13N20DPBFTR |
典型关闭延迟时间 | 17 ns |
功率-最大值 | 110W |
功率耗散 | 110 W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 235 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 25 nC |
标准包装 | 2,000 |
汲极/源极击穿电压 | 200 V |
漏极连续电流 | 14 A |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr13n20d.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr13n20d.spi |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | 30 V |