ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFR13N20DTRPBF
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Datasheet下载- 型号： IRFR13N20DTRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR13N20DTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR13N20DTRPBF价格参考￥3.47-￥4.50。International RectifierIRFR13N20DTRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak。您可以下载IRFR13N20DTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR13N20DTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFR13N20DTRPBF是一款由英飞凌（Infineon）生产的增强型N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的电路中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理 该器件常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC Converter）等电源管理系统中。由于其低导通电阻（Rds(on)），可以有效减少功率损耗，提高转换效率。在这些应用中，IRFR13N20DTRPBF能够快速响应负载变化，提供稳定的电压输出。 2. 电机驱动 在电机控制领域，特别是无刷直流电机（BLDC）和步进电机驱动中，IRFR13N20DTRPBF可以作为驱动电路中的关键元件。它能够承受较大的电流波动，并且具有良好的热稳定性，确保电机在不同工作条件下的可靠运行。 3. 电池管理系统（BMS） 在电池管理系统中，该MOSFET可用于电池充放电保护电路。通过精确控制充电和放电路径，防止过充、过放及短路等情况的发生，从而延长电池寿命并提高安全性。 4. 逆变器与变频器 在光伏逆变器、工业变频器等设备中，IRFR13N20DTRPBF被用来实现高效的功率转换。它能够在高频条件下稳定工作，支持高频率的PWM调制，使得逆变器和变频器能够更高效地调节输出电压和频率。 5. 汽车电子 随着电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的发展，IRFR13N20DTRPBF也被应用于车载电子系统中，如电动助力转向（EPS）、空调压缩机控制等场景。它具备较高的耐用性和可靠性，适应恶劣的工作环境。 总之，IRFR13N20DTRPBF凭借其优异的电气性能，在多种电力电子应用中发挥着重要作用，尤其适合那些对效率、可靠性和成本有较高要求的产品设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 13A DPAKMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 14 A |
| Id-连续漏极电流 | 14 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR13N20DTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR13N20DTRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 25 nC |
| Qg-栅极电荷 | 25 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 235 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 235 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 830pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 235 毫欧 @ 8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | IRFR13N20DPBFTR |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 功率耗散 | 110 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 235 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 25 nC |
| 标准包装 | 2,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 14 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr13n20d.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr13n20d.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 30 V |
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