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Datasheet下载- 型号： IRFR13N20DPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR13N20DPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR13N20DPBF价格参考。International RectifierIRFR13N20DPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak。您可以下载IRFR13N20DPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR13N20DPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFR13N20DPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） IRFR13N20DPBF常用于开关电源的设计中，作为功率开关元件。它能够在高频条件下高效地进行导通和关断操作，适用于AC-DC或DC-DC转换器。该MOSFET的低导通电阻（Rds(on)）有助于减少传导损耗，提高电源转换效率。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，IRFR13N20DPBF可以用于控制电机的启动、停止和调速。它能够承受较高的电流和电压波动，适合驱动步进电机、直流电机和无刷直流电机等。MOSFET的快速开关特性有助于实现精确的电机控制，并降低能耗。 3. 逆变器 逆变器是将直流电转换为交流电的设备，广泛应用于太阳能发电系统、不间断电源（UPS）等领域。IRFR13N20DPBF在逆变器中作为开关元件，负责将直流电通过高频PWM（脉宽调制）信号转换为交流电输出。其高耐压（200V）和低导通电阻使其能够在恶劣环境下稳定工作。 4. 电池管理系统（BMS） 在电池管理系统中，IRFR13N20DPBF可用于电池充放电保护电路。它能够快速响应过流、短路等异常情况，切断电路以保护电池和负载设备。此外，MOSFET的低导通电阻有助于减少电池能量损耗，延长电池寿命。 5. 工业自动化 在工业自动化领域，IRFR13N20DPBF可用于各种控制系统中的功率调节和驱动部分。例如，在PLC（可编程逻辑控制器）中，MOSFET可以用于控制电磁阀、继电器等执行机构。其高可靠性和长寿命使得它成为工业应用的理想选择。 6. 消费电子产品 在消费电子产品如笔记本电脑适配器、LED照明驱动器等中，IRFR13N20DPBF也得到了广泛应用。它能够提供高效的电源管理，确保设备在不同负载条件下稳定运行，同时减少发热和功耗。 总之，IRFR13N20DPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于多种电力电子设备和系统，特别是在需要高效功率转换和控制的应用场景中表现尤为出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 13A DPAKMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 14 A |
| Id-连续漏极电流 | 14 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR13N20DPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR13N20DPBF |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 25 nC |
| Qg-栅极电荷 | 25 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 235 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 235 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 830pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 235 毫欧 @ 8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 功率耗散 | 110 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 235 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 25 nC |
| 标准包装 | 75 |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 14 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr13n20d.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr13n20d.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 30 V |
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