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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR13N15DTRR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR13N15DTRR价格参考。International RectifierIRFR13N15DTRR封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 14A(Tc) 86W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR13N15DTRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR13N15DTRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFR13N15DTRR 是一款由 Infineon(英飞凌)制造的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和出色的热性能,适用于多种电力电子应用场景。以下是 IRFR13N15DTRR 的一些典型应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):IRFR13N15DTRR 可用于开关电源中的功率转换部分,作为主开关管或同步整流管。其低导通电阻有助于减少传导损耗,提高电源效率。 - DC-DC 转换器:在降压、升压或升降压转换器中,该 MOSFET 可以用作主开关或同步整流器,帮助实现高效的能量转换。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机 (BLDC) 和 永磁同步电机 (PMSM):IRFR13N15DTRR 可用于电机驱动电路中的逆变器桥臂,控制电机的转速和方向。其快速开关特性和低损耗特性使得它非常适合高频驱动应用。 - 步进电机驱动:在步进电机驱动电路中,该 MOSFET 可以用于电流控制和相位切换,确保电机平稳运行。 3. 电池管理系统 (BMS) - 在电池管理系统中,IRFR13N15DTRR 可用于电池充放电保护电路,作为充电路径上的开关或放电路径上的负载开关。其低导通电阻可以减少发热,延长电池寿命并提高系统安全性。 4. 工业自动化 - 可编程逻辑控制器 (PLC) 和 伺服驱动器:这些设备需要高效的功率控制,IRFR13N15DTRR 可用于这些设备中的功率输出级,提供快速响应和精确控制。 - 固态继电器 (SSR):在需要隔离控制的应用中,该 MOSFET 可用于构建固态继电器,替代传统的机械继电器,具有更长的使用寿命和更快的响应速度。 5. 消费电子产品 - 笔记本电脑适配器 和 智能手机快充模块:在这些产品中,IRFR13N15DTRR 可用于高效功率转换,支持快速充电功能,同时保持较低的温升。 总之,IRFR13N15DTRR 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种电力电子领域,特别是在需要高效功率转换和快速响应的应用中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 150V 14A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRFR13N15DTRR |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 620pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 180 毫欧 @ 8.3A,10V |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 86W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 14A (Tc) |