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Datasheet下载- 型号： IRFR13N15DTRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR13N15DTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR13N15DTRPBF价格参考。International RectifierIRFR13N15DTRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） D-Pak。您可以下载IRFR13N15DTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR13N15DTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFR13N15DTRPBF 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用 D2PAK-7 封装。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电力电子应用。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 IRFR13N15DTRPBF 广泛应用于各种电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器等。由于其低导通电阻（典型值为 0.014Ω），能够有效减少传导损耗，提高系统的效率。在这些应用中，MOSFET 作为开关元件，控制电流的通断，确保电源的稳定输出。 2. 电机驱动 在电机驱动领域，尤其是无刷直流电机（BLDC）、步进电机和伺服电机中，IRFR13N15DTRPBF 可以用于桥式电路（H 桥或半桥）来控制电机的正反转和调速。其快速开关特性有助于实现高效的电机控制，同时降低能耗。 3. 工业自动化 在工业自动化设备中，如可编程逻辑控制器（PLC）、机器人控制系统等，IRFR13N15DTRPBF 可用于驱动大功率负载，如电磁阀、继电器和加热元件等。其高耐压（150V）和大电流能力（连续电流可达 86A）使其能够在恶劣的工业环境中可靠工作。 4. 汽车电子 该 MOSFET 还适用于汽车电子系统中的负载切换和电源管理模块。例如，在启动电机、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）等应用中，IRFR13N15DTRPBF 可以提供高效、可靠的电流控制，确保车辆电气系统的正常运行。 5. 太阳能逆变器 在太阳能光伏发电系统中，IRFR13N15DTRPBF 可用于逆变器的功率级，将直流电转换为交流电并馈入电网。其低损耗和高效率特性有助于提高整个系统的能量转换效率，减少能源浪费。 总之，IRFR13N15DTRPBF 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各类电力电子设备中，特别是在需要高效能、低损耗和高可靠性的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 14A DPAKMOSFET MOSFT 150V 14A 180mOhm 19nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 14 A |
| Id-连续漏极电流 | 14 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR13N15DTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR13N15DTRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 86 W |
| Pd-功率耗散 | 86 W |
| Qg-GateCharge | 19 nC |
| Qg-栅极电荷 | 19 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 620pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180 毫欧 @ 8.3A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 86W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 6,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Tc） |
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