ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFR13N15DTRPBF
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Datasheet下载- 型号： IRFR13N15DTRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR13N15DTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR13N15DTRPBF价格参考。International RectifierIRFR13N15DTRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） D-Pak。您可以下载IRFR13N15DTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR13N15DTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFR13N15DTRPBF是一款N沟道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），适用于多种应用场景，特别是在需要高效开关和功率管理的场合。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 IRFR13N15DTRPBF常用于开关电源（SMPS）设计中，作为主开关管或同步整流管。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。该器件适用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等应用，能够有效降低功耗并提高系统的整体性能。 2. 电机驱动 在电机控制领域，IRFR13N15DTRPBF可用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机和其他类型的电机驱动电路中。它能够快速响应电流变化，提供稳定的电流输出，确保电机运行平稳。此外，其低导通电阻有助于减少发热，延长设备寿命。 3. 电池管理系统（BMS） 该MOSFET在电池管理系统中也有广泛应用，尤其是在电动汽车（EV）、电动自行车（E-Bike）和储能系统中。它可以用于电池充放电保护电路，防止过充、过放和短路等问题，确保电池的安全性和可靠性。 4. 工业自动化 在工业自动化领域，IRFR13N15DTRPBF可用于各种控制电路和执行器中。例如，在PLC（可编程逻辑控制器）中，它可以作为信号隔离和驱动元件，实现对负载的精确控制。此外，它还可以用于工业机器人中的伺服控制系统，提供高效的功率传输和快速响应。 5. 消费电子 在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等，IRFR13N15DTRPBF可用于充电电路、背光驱动和音频放大器等模块。其紧凑的封装形式和高性能使得它非常适合小型化、便携式设备的设计需求。 6. 通信设备 在通信基站、路由器和交换机等网络设备中，IRFR13N15DTRPBF可以用于电源管理和信号切换。它能够承受较高的工作电压，并且具有良好的热稳定性，确保设备在恶劣环境下仍能稳定运行。 总之，IRFR13N15DTRPBF凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、电池管理、工业自动化、消费电子和通信设备等领域，为各类系统提供高效、可靠的功率控制解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 14A DPAKMOSFET MOSFT 150V 14A 180mOhm 19nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 14 A |
| Id-连续漏极电流 | 14 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR13N15DTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR13N15DTRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 86 W |
| Pd-功率耗散 | 86 W |
| Qg-GateCharge | 19 nC |
| Qg-栅极电荷 | 19 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 620pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180 毫欧 @ 8.3A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 86W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 6,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Tc） |
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