(cid:2)(cid:3)(cid:1)(cid:4)(cid:1)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:5)(cid:8) IRFR13N15DPbF SMPS MOSFET IRFU13N15DPbF HEXFET(cid:1)(cid:1)Power MOSFET Applications V R max I DSS DS(on) D (cid:3) High frequency DC-DC converters 150V 0.18Ω 14A (cid:3) Lead-Free Benefits (cid:3) Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses (cid:3) Fully Characterized Capacitance Including Effective C to Simplify Design, (See OSS App. Note AN1001) (cid:3) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current D-Pak I-Pak IRFR13N15D IRFU13N15D Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V 14 D C GS I @ T = 100°C Continuous Drain Current, V @ 10V 9.8 A D C GS I Pulsed Drain Current (cid:1) 56 DM P @T = 25°C Power Dissipation 86 W D C Linear Derating Factor 0.57 W/°C V Gate-to-Source Voltage ± 30 V GS dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt (cid:2) 3.8 V/ns T Operating Junction and -55 to + 175 J TSTG Storage Temperature Range °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Typical SMPS Topologies (cid:3)(cid:4)Telecom 48V input Active Clamp Forward Converter Notes(cid:1)(cid:1)(cid:2)through (cid:3) are on page 10 www.irf.com 1 12/9/04

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) Static @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 150 ––– ––– V VGS = 0V, ID = 250µA ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.17 ––– V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA (cid:8) RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– ––– 0.18 Ω VGS = 10V, ID = 8.3A(cid:4)(cid:5) VGS(th) Gate Threshold Voltage 3.0 ––– 5.5 V VDS = VGS, ID = 250µA IDSS Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 25 µA VDS = 150V, VGS = 0V ––– ––– 250 VDS = 120V, VGS = 0V, TJ = 150°C I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 nA VGS = 30V GSS Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 VGS = -30V Dynamic @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions gfs Forward Transconductance 5.0 ––– ––– S VDS = 50V, ID = 8.3A Qg Total Gate Charge ––– 19 29 ID = 8.3A Qgs Gate-to-Source Charge ––– 5.5 8.2 nC VDS = 120V Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– 9.4 14 VGS = 10V, (cid:5) td(on) Turn-On Delay Time ––– 8.0 ––– VDD = 75V tr Rise Time ––– 26 ––– ns ID = 8.3A td(off) Turn-Off Delay Time ––– 12 ––– RG = 11Ω tf Fall Time ––– 11 ––– VGS = 10V(cid:4)(cid:5) Ciss Input Capacitance ––– 620 ––– VGS = 0V Coss Output Capacitance ––– 130 ––– VDS = 25V Crss Reverse Transfer Capacitance ––– 38 ––– pF ƒ = 1.0MHz Coss Output Capacitance ––– 780 ––– VGS = 0V, VDS = 1.0V, ƒ = 1.0MHz Coss Output Capacitance ––– 62 ––– VGS = 0V, VDS = 120V, ƒ = 1.0MHz Coss eff. Effective Output Capacitance ––– 110 ––– VGS = 0V, VDS = 0V to 120V (cid:6) Avalanche Characteristics Parameter Typ. Max. Units E Single Pulse Avalanche Energy(cid:7) ––– 130 mJ AS I Avalanche Current(cid:1) ––– 8.3 A AR E Repetitive Avalanche Energy(cid:1) ––– 8.6 mJ AR Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case ––– 1.75 RθJA Junction-to-Ambient (PCB mount)* ––– 50 °C/W RθJA Junction-to-Ambient ––– 110 Diode Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current ––– ––– 14 MOSFET symbol D (Body Diode) showing the (cid:1) ISM Pulsed Source Current ––– ––– 56 integral reverse G (Body Diode) (cid:1) p-n junction diode. S VSD Diode Forward Voltage ––– ––– 1.3 V TJ = 25°C, IS = 8.3A, VGS = 0V(cid:4)(cid:5) trr Reverse Recovery Time ––– 110 ––– ns TJ = 25°C, IF = 8.3A Qrr Reverse RecoveryCharge ––– 520 ––– nC di/dt = 100A/µs(cid:1)(cid:5) ton Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) 100 100 VGS VGS TOP 15V TOP 15V 12V 12V Current (A) 10 BOTTOM1876550.....00050VVVVVV Current (A) 10 BOTTOM1876550.....00050VVVVVV e e urc urc So 1 So o- o- n-t n-t 5.0V ai ai 1 Dr 5.0V Dr I , D0.1 I , D 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH T J = 25°C T J = 175°C 0.01 0.1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 V D S , Drain-to-Source Voltage (V) V D S , Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 100 3.0 ID=14A e c n nt (A) sista 2.5 Source Curre 10 TJ = 175 ° C Source On Remalized) 12..50 ain-to- 1 TJ = 25 ° C ain-to-(Nor 1.0 Dr Dr I , D V20 D µ Ss =P U50LVSE WIDTH R , DS(on) 0.5 VGS=10V 0.1 0.0 5 6 7 8 9 10 11 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180 VG S , Gate-to-Source Voltage (V) T J , Junction Temperature ( ° C) Fig 4. Normalized On-Resistance Fig 3. Typical Transfer Characteristics Vs. Temperature www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) 10000 20 VGS = 0V, f = 1 MHZ ID=8.3A CCCroissssss === CCCgdgdss ++ CCggdd, Cds SHORTED ge (V) 16 VVVDDDSSS=== 371052VV0V a Fp)1000 olt aanecc(ti Ciss ource V 12 p S Ca Coss o- C , 100 e-t 8 at Crss G V , GS 4 10 FOR TEST CIRCUIT 1 10 100 1000 SEE FIGURE 1 3 0 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) 0 5 10 15 20 25 30 Q , Total Gate Charge (nC) G Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 100 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY RDS(on) A) ent ( TJ = 175 ° C A)A) 100 Curr 10 nt (nt ( 10us ain urreurre erse Dr TJ = 25 ° C Drain CDrain C 10 100us I , RevSD 1 I , I , D 1 TC= 25 ° C 11m0mss TJ= 175 ° C V G S = 0 V Single Pulse 0.1 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1 10 100 1000 V S D ,Source-to-Drain Voltage (V) V D S , Drain-to-Source Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) (cid:3) 14 (cid:2) (cid:1) (cid:1)(cid:2) 12 (cid:2)(cid:21)(cid:2) (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:5) (cid:3) nt (A) 10 (cid:21) +-(cid:2)(cid:1)(cid:1) urre 8 (cid:2)(cid:21)(cid:2) C (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:8)≤ 1 (cid:14)(cid:6) n (cid:1)(cid:4)(cid:12)(cid:15)(cid:8)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:12)(cid:19)(cid:20)(cid:8)≤ 0.1 % ai 6 Dr I , D 4 Fig 10a. Switching Time Test Circuit VDS 2 90% 0 25 50 75 100 125 150 175 T , Case Temperature ( ° C) C 10% VGS Fig 9. Maximum Drain Current Vs. td(on) tr td(off) tf Case Temperature Fig 10b. Switching Time Waveforms 10 ) Z thJC ( 1 D = 0.50 e s n o 0.20 p s e 0.10 R al 0.05 PDM erm 0.1 00..0012 (THESRINMGALLE R PEUSLPSOENSE) t1 h t2 T Notes: 1. Duty factor D = t 1 / t2 2. Peak TJ=PDMx ZthJC+ TC 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) 240 15V J) ID m TOP 3.4A ( y 200 5.9A g VDS L DRIVER ner BOTTOM 8.3A E e 160 h RG D.U.T + nc - VDD a IAS A al 120 v 20V A tp 0.01Ω e s ul 80 P Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit e gl n Si 40 V(BR)DSS E , AS 0 tp 25 50 75 100 125 150 175 Starting T , Junction Temperature ( ° C) J Fig 12c. Maximum Avalanche Energy Vs. Drain Current IAS Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms CurrentRegulator SameTypeasD.U.T. Q G 50KΩ 12V .2µF .3µF Q Q GS GD + D.U.T. -VDS VG VGS 3mA Charge IG ID CurrentSamplingResistors Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform Fig 13b. Gate Charge Test Circuit 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:5)(cid:10)(cid:2)(cid:11)(cid:8)(cid:12)(cid:2)(cid:13)(cid:14)(cid:5)(cid:9)(cid:12)(cid:15)(cid:9)(cid:16)(cid:5)(cid:17)(cid:2)(cid:18)(cid:16)(cid:5)(cid:19)(cid:7)(cid:13)(cid:11)(cid:20)(cid:7)(cid:16) + $(cid:16)(cid:13)(cid:17) (cid:16)(cid:24)(cid:8)(cid:14)(cid:28)(cid:27)(cid:12) (cid:24)(cid:8)$(cid:12)(cid:25)(cid:21)(cid:16)(cid:22)(cid:18)(cid:13)(cid:28)(cid:24)(cid:16)(cid:12)(cid:25)(cid:21) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4) • (cid:8)(cid:14)(cid:12)%(cid:8)&(cid:24)(cid:13)(cid:28)(cid:27)(cid:8)(cid:31)(cid:25)(cid:22) (cid:17)(cid:24)(cid:28)(cid:25)(cid:17)(cid:18) (cid:1) (cid:8)(cid:8) • ’(cid:13)(cid:12) (cid:25)(cid:22)(cid:8)((cid:20)(cid:28)(cid:25)(cid:18) (cid:8)(cid:8) • (cid:14)(cid:12)%(cid:8)(cid:14)(cid:18)(cid:28))(cid:28)(cid:15)(cid:18)(cid:8)(cid:31)(cid:25)(cid:22) (cid:17)(cid:24)(cid:28)(cid:25)(cid:17)(cid:18) (cid:8)(cid:8)(cid:8)(cid:8)(cid:8)(cid:8)$ (cid:13)(cid:13)(cid:18)(cid:25)(cid:24)(cid:8)(cid:7)(cid:13)(cid:28)(cid:25)(cid:21)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:29)(cid:18)(cid:13) - + (cid:3) (cid:2) - + - (cid:4) (cid:3)(cid:21) • (cid:22)(cid:19)(cid:23)(cid:22)(cid:24)(cid:8)(cid:17)(cid:12)(cid:25)(cid:24)(cid:13)(cid:12)(cid:20)(cid:20)(cid:18)(cid:22)(cid:8)(cid:26)(cid:27)(cid:8)(cid:3)(cid:21) + • (cid:4)(cid:13)(cid:16)(cid:19)(cid:18)(cid:13)(cid:8)(cid:21)(cid:28)(cid:29)(cid:18)(cid:8)(cid:24)(cid:27)(cid:30)(cid:18)(cid:8)(cid:28)(cid:21)(cid:8)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:5) - (cid:2)(cid:1)(cid:1) • (cid:31)(cid:2)(cid:1)(cid:8)(cid:17)(cid:12)(cid:25)(cid:24)(cid:13)(cid:12)(cid:20)(cid:20)(cid:18)(cid:22)(cid:8)(cid:26)(cid:27)(cid:8)(cid:4) (cid:24)(cid:27)(cid:8)!(cid:28)(cid:17)(cid:24)(cid:12)(cid:13)(cid:8)"(cid:4)" • (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:5)(cid:8)#(cid:8)(cid:4)(cid:18)(cid:19)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:8)(cid:6)(cid:25)(cid:22)(cid:18)(cid:13)(cid:8)(cid:7)(cid:18)(cid:21)(cid:24) Driver Gate Drive P.W. Period D = P.W. Period V =10V (cid:9) GS D.U.T. I Waveform SD Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current di/dt D.U.T. V Waveform DS Diode Recovery dv/dt V DD Re-Applied Voltage Body Diode Forward Drop Inductor Curent Ripple ≤ 5% ISD (cid:9)(cid:8)(cid:2) (cid:8)(cid:9)(cid:8)(cid:10)(cid:2)(cid:8)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:8)(cid:14)(cid:12)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:8)(cid:14)(cid:18)(cid:19)(cid:18)(cid:20)(cid:8)(cid:4)(cid:18)(cid:19)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:21) (cid:21)(cid:2) Fig 14. For N-Channel HEXFET(cid:1)(cid:1)Power MOSFETs www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:24)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:25)(cid:6)(cid:9)(cid:26)(cid:15)(cid:27)(cid:17)(cid:18)(cid:25) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:3)(cid:8)(cid:6)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:9)(cid:7)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:6)(cid:9)(cid:4)(cid:3)(cid:14)(cid:14)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:15)(cid:5)(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:16)(cid:3)(cid:6)(cid:17)(cid:12)(cid:5)(cid:7)(cid:18) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:14)(cid:5)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:4)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:18) EXAMPLE: THIS IS AN IRFR120 PART NUMBER WITH ASSEMBLY INTERNATIONAL LOT CODE 1234 RECTIFIER IRFU120 DATE CODE ASSEMBLED ON WW 16, 1999 LOGO 916A YEAR 9 = 1999 IN THE ASSEMBLY LINE "A" 12 34 WEEK 16 LINE A Note: "P" in assembly line position ASSEMBLY indicates "Lead-Free" LOT CODE OR PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER IRFU120 DATE CODE LOGO P = DESIGNATES LEAD-FREE PRODUCT (OPTIONAL) 12 34 YEAR 9 = 1999 ASSEMBLY WEEK 16 LOT CODE A = ASSEMBLY SITE CODE 8 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) (cid:20)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:28)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:24)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:25)(cid:6)(cid:9)(cid:26)(cid:15)(cid:27)(cid:17)(cid:18)(cid:25) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:3)(cid:8)(cid:6)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:9)(cid:7)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:6)(cid:9)(cid:4)(cid:3)(cid:14)(cid:14)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:15)(cid:5)(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:16)(cid:3)(cid:6)(cid:17)(cid:12)(cid:5)(cid:7)(cid:18) (cid:20)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:28)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:14)(cid:5)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:4)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:18) EXAMPLE: THIS IS AN IRFU120 PART NUMBER INTERNATIONAL WALOSITSTH EC MAOSBDSLEEE DM56 BO7L8NY WW 19, 1999 RELCOTGIFOIER IRFU192109A DYEAATRE 9C O=D 1E999 56 78 WEEK 19 IN THE ASSEMBLY LINE "A" LINE A Note: "P" in assembly line ASSEMBLY position indicates "Lead-Free" LOT CODE (cid:1)(cid:2) PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER IRFU120 DATE CODE LOGO P = DESIGNATES LEAD-FREE 56 78 PRODUCT (OPTIONAL) YEAR 9 = 1999 ASSEMBLY WEEK 19 LOT CODE A = ASSEMBLY SITE CODE www.irf.com 9

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:8)(cid:4)(cid:29)(cid:25)(cid:6)(cid:30)(cid:6)(cid:31)(cid:25)(cid:25)(cid:27)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:4)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:18) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:3)(cid:8)(cid:6)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:9)(cid:7)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:6)(cid:9)(cid:4)(cid:3)(cid:14)(cid:14)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:15)(cid:5)(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:16)(cid:3)(cid:6)(cid:17)(cid:12)(cid:5)(cid:7)(cid:18) TR TRR TRL 16.3 ( .641 ) 16.3 ( .641 ) 15.7 ( .619 ) 15.7 ( .619 ) 12.1 ( .476 ) FEED DIRECTION 8.1 ( .318 ) FEED DIRECTION 11.9 ( .469 ) 7.9 ( .312 ) NOTES : 1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER. 2. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS ( INCHES ). 3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541. 13 INCH 16 mm NOTES : 1. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481. (cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10) (cid:4)(cid:8)Repetitive rating; pulse width limited by (cid:2) Pulse width ≤ 300µs; duty cycle ≤ 2%. max. junction temperature. (cid:3) (cid:8)Starting TJ = 25°C, L = 3.8mH (cid:5) Coss eff. is a fixed capacitance that gives the same charging time RG = 25Ω, IAS = 8.3A. as Coss while VDS is rising from 0 to 80% VDSS (cid:1)ISD ≤ 8.3A, di/dt ≤ 280A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, TJ ≤ 175°C *(cid:8)(cid:8)When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material). For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994. Data and specifications subject to change without notice. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information.12/04 10 www.irf.com

Note: For the most current drawings please refer to the IR website at: http://www.irf.com/package/

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRFR13N15DPBF IRFR13N15DTRPBF