PD - 95772B IRFR120ZPbF IRFU120ZPbF HEXFET® Power MOSFET Features D (cid:0) Advanced Process Technology V = 100V DSS (cid:0) Ultra Low On-Resistance (cid:0) 175°C Operating Temperature R = 190mΩ (cid:0) Fast Switching DS(on) G (cid:0) Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax (cid:0) Lead-Free ID = 8.7A S Description This HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on- resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device D-Pak I-Pak for use in a wide variety of applications. IRFR120ZPbF IRFU120ZPbF Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) 8.7 ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 6.1 A IDM Pulsed Drain Current (cid:0) 35 PD @TC = 25°C Power Dissipation 35 W Linear Derating Factor 0.23 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V EAS (Thermally limited) Single Pulse Avalanche Energy(cid:1) 18 mJ EAS (Tested ) Single Pulse Avalanche Energy Tested Value (cid:2) 20 IAR Avalanche Current(cid:3)(cid:0) See Fig.12a, 12b, 15, 16 A EAR Repetitive Avalanche Energy (cid:4) mJ TJ Operating Junction and -55 to + 175 TSTG Storage Temperature Range °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting Torque, 6-32 or M3 screw 10 lbf(cid:6)in (1.1N(cid:6)m) Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case ––– 4.28 RθJA Junction-to-Ambient (PCB mount) (cid:5) ––– 40 °C/W RθJA Junction-to-Ambient ––– 110 HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier. www.irf.com 1 (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:3)(cid:4)(cid:1)

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 100 ––– ––– V VGS = 0V, ID = 250µA ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.084 ––– V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 150 190 mΩ VGS = 10V, ID = 5.2A (cid:3) VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 ––– 4.0 V VDS = VGS, ID = 250µA gfs Forward Transconductance 16 ––– ––– S V = 25V, I = 5.2A DS D IDSS Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 20 µA VDS = 100V, VGS = 0V ––– ––– 250 V = 100V, V = 0V, T = 125°C DS GS J IGSS Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 200 nA VGS = 20V Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -200 V = -20V GS Qg Total Gate Charge ––– 6.9 10 ID = 5.2A Qgs Gate-to-Source Charge ––– 1.6 ––– nC VDS = 80V Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– 3.1 ––– VGS = 10V (cid:3) td(on) Turn-On Delay Time ––– 8.3 ––– VDD = 50V tr Rise Time ––– 26 ––– ID = 5.2A td(off) Turn-Off Delay Time ––– 27 ––– ns RG = 53 Ω tf Fall Time ––– 23 ––– VGS = 10V (cid:3) LD Internal Drain Inductance ––– 4.5 ––– Between lead, D nH 6mm (0.25in.) LS Internal Source Inductance ––– 7.5 ––– from package G and center of die contact S Ciss Input Capacitance ––– 310 ––– VGS = 0V Coss Output Capacitance ––– 41 ––– VDS = 25V Crss Reverse Transfer Capacitance ––– 24 ––– pF ƒ = 1.0MHz Coss Output Capacitance ––– 150 ––– VGS = 0V, VDS = 1.0V, ƒ = 1.0MHz Coss Output Capacitance ––– 26 ––– VGS = 0V, VDS = 80V, ƒ = 1.0MHz Coss eff. Effective Output Capacitance ––– 57 ––– VGS = 0V, VDS = 0V to 80V (cid:2) Source-Drain Ratings and Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current ––– ––– 8.7 MOSFET symbol (Body Diode) A showing the ISM Pulsed Source Current ––– ––– 35 integral reverse (Body Diode)(cid:0)(cid:1) p-n junction diode. VSD Diode Forward Voltage ––– ––– 1.3 V TJ = 25°C, IS = 5.2A, VGS = 0V (cid:3) trr Reverse Recovery Time ––– 24 36 ns TJ = 25°C, IF = 5.2A, VDD = 50V Qrr Reverse Recovery Charge ––– 23 35 nC di/dt = 100A/µs (cid:3) ton Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) 100 (cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:7) 100 (cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:7) (cid:1)(cid:2) (cid:1)(cid:2) (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:7)(cid:8)(cid:9) (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:7)(cid:8)(cid:9) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:7)(cid:10)(cid:9) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:7)(cid:10)(cid:9) A) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:11)(cid:12)(cid:10)(cid:9) A) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:11)(cid:12)(cid:10)(cid:9) n(t 10 (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:12)(cid:12)(cid:10)(cid:10)(cid:9)(cid:9) n(t (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:12)(cid:12)(cid:10)(cid:10)(cid:9)(cid:9) uerr (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:8)(cid:8)(cid:12)(cid:12)(cid:8)(cid:10)(cid:9)(cid:9) uerr 10 (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:8)(cid:8)(cid:12)(cid:12)(cid:8)(cid:10)(cid:9)(cid:9) C (cid:15)(cid:5)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:16)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:17)(cid:12)(cid:8)(cid:9) C (cid:15)(cid:5)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:16)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:17)(cid:12)(cid:8)(cid:9) e e c c ur 1 ur o o S S o- o- 4.5V n-t n-t 1 ai 4.5V ai Dr 0.1 Dr ,D ,D I 60µs PULSE WIDTH I 60µs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 175°C 0.01 0.1 00.1 11 1100 110000 00.1 11 1100 110000 V , Drain-to-Source Voltage (V) V , Drain-to-Source Voltage (V) DS DS Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 100.0 12 Α() Se() 10 TJ = 175°C nt nc e a urr 10.0 TJ = 175°C uct 8 C d uecr onsc 6 TJ = 25°C o n S a ano--ti 1.0 TJ = 25°C wTadr r 4 Dr or I,D VDS = 25V Fs, 2 60µs PULSE WIDTH Gf VDS = 10V 380µs PULSE WIDTH 0.1 0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 0 2 4 6 8 V , Gate-to-Source Voltage (V) GS ID, Drain-to-Source Current (A) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Typical Forward Transconductance Vs. Drain Current www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) 500 20 VGS = 0V, f = 1 MHZ Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED ID= 5.2A Fep() 340000 CCrossss == CCCdgisds s+ Cgd VVageoe() t l 1126 VVVDDDSSS=== 528000VVV anc ucr cti So Capa 200 eo--t 8 C, Gat ,S 4 100 G Coss V FOR TEST CIRCUIT Crss SEE FIGURE 13 0 0 0 2 4 6 8 10 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) QG Total Gate Charge (nC) Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 100.0 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY RDS(on) CAuenrrt () 10.0 CAuenrr()t 100 Danr i TJ = 175°C ouecr 10 se So- ever 1.0 na-ti 100µsec R, DS TJ = 25°C Dr, D 1 I I Tc = 25°C 1msec V = 0V Tj = 175°C GS Single Pulse 10msec 0.1 0.1 0.0 0.5 1.0 1.5 1 10 100 1000 VSD, Source-toDrain Voltage (V) VDS , Drain-toSource Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) 10 3.0 ec ID = 5.2A n 8 assti 2.5 VGS = 10V e CDAnuenarr()r t , I iD 246 ORDSanoounecr--rt , iRDSon() mNoaedz)(r li 112...050 0 0.5 25 50 75 100 125 150 175 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180 TJ , Junction Temperature (°C) TJ , Junction Temperature (°C) Fig 9. Maximum Drain Current Vs. Fig 10. Normalized On-Resistance Case Temperature Vs. Temperature 10 )C D = 0.50 J h Z t 1 0.20 e( Raeponss l 0.1 000...100025 τJτJτ1τ1 R1R1 τ2τR22R2 Rτ33Rτ33 τCτR01i .(.73°C9337/W 4 7 ) 00τ..i 00(00se00c10)2553 mher 0.01 CiC= iτi /Ri/iRi 2.150 0.000474 T Notes: SINGLE PULSE 1. Duty Factor D = t1/t2 ( THERMAL RESPONSE ) 2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc 0.01 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) 80 15V mJ) ID y( TOP 0.9A g 1.2 VDS L DRIVER ner 60 BOTTOM 5.2A E e h c RG D.U.T +- VDD aanl IAS A v 40 A 2V0GVS tp 0.01Ω es ul P Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit ge l 20 n V(BR)DSS Si tp AS , E 0 25 50 75 100 125 150 175 Starting TJ, Junction Temperature (°C) IAS Fig 12c. Maximum Avalanche Energy Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms Vs. Drain Current Q G (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4) Q Q GS GD 5.0 VG Ve() g a Votl 4.0 Charge d ol h Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform s her ID = 250µA SaCmuerreTnytpeReagsulDat.oUr.T. Geat t 3.0 50KΩ h) 12V .2µF S(t .3µF G V + D.U.T. -VDS 2.0 VGS -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 200 3mA TJ , Temperature ( °C ) IG ID CurrentSamplingResistors Fig 13b. Gate Charge Test Circuit Fig 14. Threshold Voltage Vs. Temperature 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) 10 Duty Cycle = Single Pulse Allowed avalanche Current vs avalanche pulsewidth, tav 0.01 assuming ∆Tj = 25°C due to avalanche losses. Note: In no A) 0.05 case should Tj be allowed to en(t 1 0.10 exceed Tjmax urr C e h c n a al 0.1 v A 0.01 1.0E-06 1.0E-05 1.0E-04 1.0E-03 1.0E-02 tav (sec) Fig 15. Typical Avalanche Current Vs.Pulsewidth 20 Notes on Repetitive Avalanche Curves , Figures 15, 16: TOP Single Pulse (For further info, see AN-1005 at www.irf.com) BOTTOM 1% Duty Cycle 1. Avalanche failures assumption: J) 16 ID = 5.2A Purely a thermal phenomenon and failure occurs at a m temperature far in excess of T . This is validated for y( every part type. jmax g er 2. Safe operation in Avalanche is allowed as long asTjmax is En 12 not exceeded. e 3. Equation below based on circuit and waveforms shown in h c Figures 12a, 12b. n aal 8 4. PD (ave) = Average power dissipation per single v avalanche pulse. A ,R 5. BV = Rated breakdown voltage (1.3 factor accounts for EA 4 6 . Ivol=ta gAell oinwcarbelaes aev daularinncgh aev caularrnecnhte.). av 7. ∆T = Allowable rise in junction temperature, not to exceed T (assumed as 25°C in Figure 15, 16). jmax 0 t Average time in avalanche. av = 25 50 75 100 125 150 175 D = Duty cycle in avalanche = t ·f av Starting TJ , Junction Temperature (°C) ZthJC(D, tav) = Transient thermal resistance, see figure 11) P = 1/2 ( 1.3·BV·I ) =(cid:1)(cid:1)T/ Z D (ave) av thJC Fig 16. Maximum Avalanche Energy I =2(cid:1)T/ [1.3·BV·Z ] av th Vs. Temperature E = P ·t AS (AR) D (ave) av www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) Driver Gate Drive (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5) P.W. Period D = + P.W. Period (cid:24) (cid:1) (cid:18)(cid:19)(cid:20)(cid:21)(cid:22)(cid:19)(cid:23)(cid:3)(cid:24)(cid:25)(cid:26)(cid:27)(cid:22)(cid:23)(cid:3)(cid:18)(cid:27)(cid:28)(cid:29)(cid:19)(cid:30)(cid:31)(cid:20)(cid:25)(cid:23)(cid:19)(cid:27)(cid:28)(cid:29) VGS=10V • (cid:3)(cid:24)(cid:27) (cid:3)(cid:2)(cid:23)(cid:20)(cid:25)(cid:26)(cid:3)!(cid:28)(cid:30)(cid:22)(cid:21)(cid:23)(cid:25)(cid:28)(cid:21)(cid:31) (cid:3)(cid:3) • (cid:1)(cid:20)(cid:27)(cid:22)(cid:28)(cid:30)(cid:3)(cid:6)"(cid:25)(cid:28)(cid:31) - (cid:3)(cid:3) • (cid:24)(cid:27) (cid:3)(cid:24)(cid:31)(cid:25)#(cid:25)$(cid:31)(cid:3)!(cid:28)(cid:30)(cid:22)(cid:21)(cid:23)(cid:25)(cid:28)(cid:21)(cid:31) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:18)(cid:22)(cid:20)(cid:20)(cid:31)(cid:28)(cid:23)(cid:3)(cid:4)(cid:20)(cid:25)(cid:28)(cid:29)%(cid:27)(cid:20)&(cid:31)(cid:20) D.U.T. ISDWaveform + (cid:3) Reverse (cid:2) Recovery Body Diode Forward - - + Current Currentdi/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:4) dv/dt VDD (cid:7) (cid:22)(cid:1) • (cid:30)()(cid:30)(cid:23)(cid:3)(cid:21)(cid:27)(cid:28)(cid:23)(cid:20)(cid:27)""(cid:31)(cid:30)(cid:3)*(cid:26)(cid:3)+(cid:1) ’’ Re-Applied • ’(cid:20)(cid:19)((cid:31)(cid:20)(cid:3)(cid:29)(cid:25)&(cid:31)(cid:3)(cid:23)(cid:26),(cid:31)(cid:3)(cid:25)(cid:29)(cid:3)’(cid:12)-(cid:12)(cid:4)(cid:12) + Voltage Body Diode Forward Drop • !(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:21)(cid:27)(cid:28)(cid:23)(cid:20)(cid:27)""(cid:31)(cid:30)(cid:3)*(cid:26)(cid:3)’(cid:22)(cid:23)(cid:26)(cid:3).(cid:25)(cid:21)(cid:23)(cid:27)(cid:20)(cid:3)/’/ - Inductor Curent • ’(cid:12)-(cid:12)(cid:4)(cid:12)(cid:3)0(cid:3)’(cid:31)((cid:19)(cid:21)(cid:31)(cid:3)-(cid:28)(cid:30)(cid:31)(cid:20)(cid:3)(cid:4)(cid:31)(cid:29)(cid:23) Ripple ≤ 5% ISD (cid:24)(cid:6)(cid:7) (cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:7)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:6)(cid:13)(cid:11)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:6)(cid:13)(cid:17)(cid:18)(cid:17)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:17)(cid:18)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:21) (cid:1)(cid:2) Fig 17. (cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:6)(cid:3)(cid:13)(cid:6)(cid:14)(cid:11)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:17)(cid:3)(cid:12)(cid:15)(cid:18)(cid:12)(cid:19)(cid:3)(cid:20)(cid:6)(cid:21)(cid:19)(cid:3)(cid:22)(cid:10)(cid:16)(cid:14)(cid:23)(cid:10)(cid:19)(cid:3)for N-Channel HEXFET(cid:1)(cid:3)Power MOSFETs (cid:22) ’ (cid:7) ’(cid:2) (cid:7) (cid:1)(cid:2) (cid:20)(cid:23)(cid:24)(cid:23)(cid:25)(cid:23) (cid:22) (cid:1) +(cid:7) - ’’ (cid:4)(cid:1)(cid:7) (cid:6)(cid:22)"(cid:29)(cid:31)(cid:3)1(cid:19)(cid:30)(cid:23)2(cid:3)≤ 1 3(cid:29) ’(cid:22)(cid:23)(cid:26)(cid:3).(cid:25)(cid:21)(cid:23)(cid:27)(cid:20)(cid:3)≤ 0.1 % Fig 18a. Switching Time Test Circuit VDS 90% 10% VGS td(on) tr td(off) tf Fig 18b. Switching Time Waveforms 8 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:24)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:25)(cid:6)(cid:9)(cid:26)(cid:15)(cid:27)(cid:17)(cid:18)(cid:25) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:11)(cid:7)(cid:12)(cid:5)(cid:8)(cid:2)(cid:5)(cid:8)(cid:3)(cid:2)(cid:13)(cid:13)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:15)(cid:2)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:17) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:14)(cid:5)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:4)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:18) EXAMPLE: THIS IS AN IRFR120 PART NUMBER WITH ASSEMBLY INTERNATIONAL LOT CODE 1234 RECTIFIER IRFU120 DATE CODE ASSEMBLED ON WW 16, 1999 LOGO 916A YEAR 9 = 1999 IN THE ASSEMBLY LINE "A" 12 34 WEEK 16 LINE A Note: "P" in assembly line position ASSEMBLY indicates "Lead-Free" LOT CODE OR PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER IRFU120 DATE CODE LOGO P = DESIGNATES LEAD-FREE PRODUCT (OPTIONAL) 12 34 YEAR 9 = 1999 ASSEMBLY WEEK 16 LOT CODE A = ASSEMBLY SITE CODE Notes: 1.For an Automotive Qualified version of this part please seehttp://www.irf.com/product-info/auto/ 2.For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/ www.irf.com 9

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) (cid:20)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:28)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:24)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:25)(cid:6)(cid:9)(cid:26)(cid:15)(cid:27)(cid:17)(cid:18)(cid:25)(cid:6) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:11)(cid:7)(cid:12)(cid:5)(cid:8)(cid:2)(cid:5)(cid:8)(cid:3)(cid:2)(cid:13)(cid:13)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:15)(cid:2)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:17) (cid:20)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:28)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:14)(cid:5)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:4)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:18) EXAMPLE: THIS IS AN IRFU120 PART NUMBER WALOSITSTHE C MAOSBDSLEEE MD56 BO7L8NY WW 19, 1999 INTREELRCONTGAIFOTIEIORNAL 5I6RFU19217098A YDWEAEATEREK 9C 1 O9=D 1E999 IN THE ASSEMBLY LINE "A" (cid:0)po(cid:1)s(cid:2)(cid:3)iti(cid:4)o "nP i"n idn icaassteesm "Lbelya ldin-eF ree" ALOSSTE CMOBDLEY LINE A (cid:1)(cid:2) PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER IRFU120 DATE CODE LOGO P = DESIGNATES LEAD-FREE 56 78 PRODUCT (OPTIONAL) YEAR 9 = 1999 ASSEMBLY WEEK 19 LOT CODE A = ASSEMBLY SITE CODE Notes: 1.For an Automotive Qualified version of this part please seehttp://www.irf.com/product-info/auto/ 2.For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/ 10 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:8)(cid:4)(cid:29)(cid:25)(cid:6)(cid:30)(cid:6)(cid:31)(cid:25)(cid:25)(cid:27)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:4)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:18) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:11)(cid:7)(cid:12)(cid:5)(cid:8)(cid:2)(cid:5)(cid:8)(cid:3)(cid:2)(cid:13)(cid:13)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:15)(cid:2)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:17) TR TRR TRL 16.3 ( .641 ) 16.3 ( .641 ) 15.7 ( .619 ) 15.7 ( .619 ) 12.1 ( .476 ) FEED DIRECTION 8.1 ( .318 ) FEED DIRECTION 11.9 ( .469 ) 7.9 ( .312 ) NOTES : 1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER. 2. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS ( INCHES ). 3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541. 13 INCH 16 mm NOTES : 1. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481. (cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11) (cid:4)(cid:6)Repetitive rating; pulse width limited by (cid:2) Coss eff. is a fixed capacitance that gives the same charging time max. junction temperature. (See fig. 11). as Coss while VDS is rising from 0 to 80% VDSS . (cid:3) (cid:6)Limited by TJmax, starting TJ = 25°C, L = 1.29mH (cid:1)(cid:2)Limited by TJmax , see Fig.12a, 12b, 15, 16 for typical repetitive RG = 25Ω, IAS = 5.2A, VGS =10V. Part not avalanche performance. recommended for use above this value. (cid:3)(cid:2)This value determined from sample failure population. 100% (cid:1)Pulse width ≤ 1.0ms; duty cycle ≤ 2%. tested to this value in production. (cid:4)(cid:6)(cid:6) When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) . For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994 Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for the Industrial market. Qualification Standards can be found on IR’s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information.09/2010 www.irf.com 11

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRFR120ZPBF IRFR120ZTRPBF