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Datasheet下载- 型号： IRFR120NTRLPBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR120NTRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR120NTRLPBF价格参考￥1.76-￥4.34。International RectifierIRFR120NTRLPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 9.4A（Tc） 48W（Tc） D-Pak。您可以下载IRFR120NTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR120NTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFR120NTRLPBF是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具有多种应用场景，尤其适用于需要高效、低损耗和高可靠性的电力电子系统中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 IRFR120NTRLPBF常用于开关电源（SMPS）中，作为功率转换的关键元件。它能够在高频下高效工作，减少能量损耗，提升电源的整体效率。其低导通电阻（Rds(on)）特性使得在导通状态下，电流通过时的功耗非常小，适合用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等设备。 2. 电机驱动 在电机控制领域，IRFR120NTRLPBF可以用于无刷直流电机（BLDC）或步进电机的驱动电路中。它可以快速响应PWM（脉宽调制）信号，实现精确的速度和位置控制。此外，其良好的热性能和耐压能力使其能够在较宽的工作温度范围内稳定运行，适用于工业自动化、家用电器等领域。 3. 电池管理系统 该MOSFET可用于电池保护电路中，特别是在锂电池管理系统（BMS）中。它可以作为充电/放电路径的开关，确保电池在过充、过放或短路等异常情况下能够迅速断开，保护电池和相关电路的安全。 4. 通信设备 在通信基站、服务器和其他高性能计算设备中，IRFR120NTRLPBF可用于电源模块中的电压调节和负载切换。其低栅极电荷和快速开关特性有助于减少电磁干扰（EMI），提高系统的稳定性和可靠性。 5. 汽车电子 在汽车电子领域，IRFR120NTRLPBF可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、车身控制系统等。其符合AEC-Q101标准，具备较高的抗振性和环境适应性，能够在严苛的车载环境中长期稳定工作。 总之，IRFR120NTRLPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各种电力电子设备中，特别适合对效率和稳定性要求较高的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 330 pF |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAKMOSFET MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.4 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR120NTRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR120NTRLPBF |
| Pd-PowerDissipation | 39 W |
| Pd-功率耗散 | 48 W |
| Qg-GateCharge | 16.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 25 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 210 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 210 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 23 ns |
| 下降时间 | 23 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 330pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 210 毫欧 @ 5.6A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 功率-最大值 | 48W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 2.7 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.4A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr120n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr120n.spi |
| 配置 | Single |
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