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  • 型号: IRFR120NPBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRFR120NPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR120NPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR120NPBF价格参考¥0.70-¥0.70。International RectifierIRFR120NPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 9.4A(Tc) 48W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR120NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR120NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRFR120NPBF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   IRFR120NPBF常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC converters)中。它能够高效地控制电流的通断,适用于需要高效率和低损耗的电源系统。例如,在笔记本电脑适配器、手机充电器等便携式设备的电源模块中,该MOSFET可以实现快速开关和稳定的电压输出。

 2. 电机驱动
   在电动工具、家用电器(如吸尘器、风扇等)以及工业自动化设备中,IRFR120NPBF用于驱动电机。它可以通过PWM(脉宽调制)技术精确控制电机的速度和扭矩,确保电机运行平稳且节能。

 3. 电池管理系统
   该MOSFET也适用于电池管理系统(BMS),特别是在电动汽车和储能系统中。它可以作为充放电保护电路中的关键元件,防止过充、过放和短路等问题,确保电池的安全性和寿命。

 4. 逆变器
   在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中,IRFR120NPBF用于将直流电转换为交流电。它能够在高频条件下工作,提供高效的能量转换,减少热量损失,提高系统的整体性能。

 5. 负载开关
   在消费电子和通信设备中,IRFR120NPBF可以用作负载开关,控制不同负载的供电状态。它具有低导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功耗,延长设备的续航时间。

 6. 保护电路
   IRFR120NPBF还可以用于过流保护、短路保护等电路设计中。它具备较高的击穿电压和较低的导通电阻,能够在异常情况下迅速切断电流,保护后续电路免受损坏。

 总结
IRFR120NPBF凭借其出色的电气特性(如低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度),在多种电力电子应用中表现出色,尤其适合对效率和可靠性要求较高的场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAKMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 210mOhms

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

9.1 A

Id-连续漏极电流

9.1 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR120NPBFHEXFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRFR120NPBF

Pd-PowerDissipation

39 W

Pd-功率耗散

39 W

Qg-GateCharge

16.7 nC

Qg-栅极电荷

16.7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

210 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

210 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

23 ns

下降时间

23 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

330pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

25nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

210 毫欧 @ 5.6A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

典型关闭延迟时间

32 ns

功率-最大值

48W

功率耗散

39 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

210 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

75

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

16.7 nC

标准包装

75

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

9.1 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9.4A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr120n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr120n.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

20 V

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