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Datasheet下载- 型号： IRFR110TRPBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR110TRPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR110TRPBF价格参考。VishayIRFR110TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak。您可以下载IRFR110TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR110TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRFR110TRPBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几类： 1. 开关电源（SMPS） IRFR110TRPBF常用于开关电源的设计中，特别是在DC-DC转换器、AC-DC适配器等应用中。它能够高效地进行高频开关操作，降低开关损耗，提高电源转换效率。该器件的低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少导通时的功耗，适用于需要高效率和小尺寸设计的电源产品。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，IRFR110TRPBF可以作为功率级的一部分，用于控制电机的启动、停止和调速。其快速开关特性和低导通电阻使其适合用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机等驱动电路中。此外，它还可以用于H桥或半桥拓扑结构中，实现双向电流控制。 3. 负载切换 该MOSFET适用于负载切换应用，例如在电池管理系统（BMS）中，用于控制电池与负载之间的连接。通过快速响应负载变化，IRFR110TRPBF可以有效保护系统免受过流、短路等故障的影响。其低导通电阻也有助于减少发热，延长系统的使用寿命。 4. 逆变器 在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中，IRFR110TRPBF可用于将直流电转换为交流电。它能够在高频条件下稳定工作，提供高效的能量转换，并且具备良好的热性能，确保长时间运行的可靠性。 5. 脉宽调制（PWM）控制器 IRFR110TRPBF常用于PWM控制器中，特别是在LED驱动器、音频放大器等应用中。通过精确控制占空比，它可以调节输出电压或电流，实现亮度调节、音量控制等功能。其快速开关特性有助于提高PWM信号的质量，减少电磁干扰（EMI）。 6. 过流保护电路 该MOSFET还可用于过流保护电路中，作为限流元件。当检测到过流情况时，MOSFET会迅速关断，防止电路中的其他元件损坏。其低导通电阻和快速响应速度使其成为理想的保护元件。 总之，IRFR110TRPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于多种电力电子应用，尤其是在需要高效、快速响应和低损耗的场景中表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAKMOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.3 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFR110TRPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR110TRPBFIRFR110TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 540 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 540 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 下降时间 | 9.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 180pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 540 毫欧 @ 2.6A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | IRFR110PBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.3A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_photos/FP-301 2" BU 100'.jpg)
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