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IRFR1018EPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR1018EPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR1018EPBF价格参考。International RectifierIRFR1018EPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 56A(Tc) 110W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR1018EPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR1018EPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFR1018EPBF是由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的MOSFET晶体管,属于N沟道增强型功率MOSFET。该型号的主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS) - IRFR1018EPBF常用于开关电源的功率转换电路中,例如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功率损耗,提高效率。 - 应用于笔记本电脑适配器、手机充电器和其他消费类电子产品的电源模块。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,特别是在需要高效开关和低功耗的场景中。 - 可用于家用电器(如风扇、水泵)以及工业自动化设备中的电机控制。 3. 逆变器 - 在光伏逆变器或UPS(不间断电源)系统中,IRFR1018EPBF可用于功率级开关,实现高效的电能转换。 - 其快速开关特性和低损耗性能使其成为逆变器的理想选择。 4. 电池管理系统(BMS) - 用于锂电池或其他电池组的保护电路中,作为充放电路径的开关元件。 - 能够承受高电流负载,并提供可靠的过流保护功能。 5. 负载开关 - 在汽车电子、通信设备和工业控制系统中,IRFR1018EPBF可用作负载开关,控制不同电路模块的供电状态。 - 具有良好的热稳定性和可靠性,适合长时间运行的应用。 6. LED驱动 - 在大功率LED照明系统中,该MOSFET可以用作驱动电路中的开关元件,调节LED的亮度和电流。 - 适用于路灯、广告屏和其他高亮度LED应用。 7. 其他应用 - 消费电子产品:如游戏机、音响设备等的电源管理模块。 - 工业控制:用于继电器替代、信号放大和功率控制。 - 汽车电子:在启停系统、电动助力转向(EPS)和车载娱乐系统中作为功率开关。 IRFR1018EPBF凭借其出色的电气性能(如低导通电阻、高开关速度和耐高温能力),在上述应用场景中表现出色,能够满足高效、可靠和紧凑设计的需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 60V 79A DPAKMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 79 A |
Id-连续漏极电流 | 79 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR1018EPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFR1018EPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 110 W |
Pd-功率耗散 | 110 W |
Qg-GateCharge | 46 nC |
Qg-栅极电荷 | 46 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.1 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 7.1 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2290pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 69nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8.4 毫欧 @ 47A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 110W |
功率耗散 | 110 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 7.1 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 46 nC |
标准包装 | 75 |
汲极/源极击穿电压 | 60 V |
漏极连续电流 | 79 A |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 56A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru1018e.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfru1018e.spi |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | 20 V |