ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFPS40N60KPBF
Datasheet下载- 型号： IRFPS40N60KPBF
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRFPS40N60KPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFPS40N60KPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFPS40N60KPBF价格参考。VishayIRFPS40N60KPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 40A（Tc） 570W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）。您可以下载IRFPS40N60KPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFPS40N60KPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247MOSFET N-Chan 600V 40 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
| Id-连续漏极电流 | 40 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFPS40N60KPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFPS40N60KPBFIRFPS40N60KPBF |
| Pd-PowerDissipation | 570 W |
| Pd-功率耗散 | 570 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 130 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 130 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 110 ns |
| 下降时间 | 60 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7970pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 330nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 130 毫欧 @ 24A, 10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SUPER-247（TO-274AA） |
| 其它名称 | *IRFPS40N60KPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 97 ns |
| 功率-最大值 | 570W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-274AA |
| 封装/箱体 | Super247-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
