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  • 型号: IRFPG30PBF
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFPG30PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFPG30PBF价格参考¥9.46-¥9.46。VishayIRFPG30PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFPG30PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFPG30PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247ACMOSFET N-Chan 1000V 3.1 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

3.1 A

Id-连续漏极电流

3.1 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFPG30PBF-

数据手册

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产品型号

IRFPG30PBFIRFPG30PBF

Pd-PowerDissipation

125 W

Pd-功率耗散

125 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

5 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

5 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

1 kV

Vds-漏源极击穿电压

1 kV

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

24 ns

下降时间

29 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

980pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

80nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5 欧姆 @ 1.9A,10V

产品目录绘图

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247-3

其它名称

*IRFPG30PBF

典型关闭延迟时间

89 ns

功率-最大值

125W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

25

漏源极电压(Vdss)

1000V(1kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.1A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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