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  • 型号: IRFPE50PBF
  • 制造商: Vishay
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IRFPE50PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFPE50PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFPE50PBF价格参考。VishayIRFPE50PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 7.8A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3。您可以下载IRFPE50PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFPE50PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247ACMOSFET N-Chan 800V 7.8 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

7.8 A

Id-连续漏极电流

7.8 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFPE50PBF-

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产品型号

IRFPE50PBFIRFPE50PBF

Pd-PowerDissipation

190 W

Pd-功率耗散

190 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.2 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.2 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

800 V

Vds-漏源极击穿电压

800 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

38 ns

下降时间

39 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3100pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

200nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.2 欧姆 @ 4.7A,10V

产品目录绘图

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247-3

其它名称

*IRFPE50PBF

典型关闭延迟时间

120 ns

功率-最大值

190W

功率耗散

190 W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

1.2 Ohms

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

25

汲极/源极击穿电压

800 V

漏极连续电流

7.8 A

漏源极电压(Vdss)

800V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.8A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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