ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFP90N20DPBF
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Datasheet下载- 型号： IRFP90N20DPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP90N20DPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP90N20DPBF价格参考￥16.22-￥17.28。International RectifierIRFP90N20DPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 200V 94A（Tc） 580W（Tc） TO-247AC。您可以下载IRFP90N20DPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFP90N20DPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFP90N20DPBF是一款N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于各种电力电子设备中。该器件的最大特点是其高耐压和低导通电阻，适用于需要高效、可靠开关性能的电路设计。 应用场景： 1. 开关电源（SMPS）： - IRFP90N20DPBF在开关电源中作为主开关管，用于实现高效的DC-DC转换。其高耐压特性（最高可达200V）使其能够在高压环境下稳定工作，而低导通电阻则有助于减少传导损耗，提高电源转换效率。 2. 电机驱动： - 在电机驱动应用中，IRFP90N20DPBF可以作为驱动信号的开关元件，控制电机的启动、停止和调速。其快速开关特性和低导通电阻能够有效降低发热，延长使用寿命，特别适合中小功率电机的驱动控制。 3. 逆变器： - 该器件常用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等设备中，负责将直流电转换为交流电。其良好的开关特性和耐压能力确保了逆变器在复杂电网环境下的稳定运行。 4. 电池管理系统（BMS）： - 在电池管理系统中，IRFP90N20DPBF可用于电池充放电控制电路，通过精确控制电流和电压，确保电池的安全和长寿命。其低导通电阻有助于减少能量损失，提升系统的整体效率。 5. LED驱动： - 对于大功率LED照明系统，IRFP90N20DPBF可以用于恒流驱动电路，确保LED灯在不同负载条件下都能获得稳定的电流供应，从而保证亮度一致性和延长LED的使用寿命。 6. 工业自动化： - 在工业控制系统中，IRFP90N20DPBF可用于各种传感器、执行器的驱动电路，提供高效可靠的开关功能，满足工业自动化对高可靠性和低功耗的要求。 总之，IRFP90N20DPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，成为众多电力电子应用中的理想选择，尤其适用于需要高效、低损耗和高稳定性的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 94A TO-247ACMOSFET MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 94 A |
| Id-连续漏极电流 | 94 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFP90N20DPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFP90N20DPBF |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 580 W |
| Pd-功率耗散 | 580 W |
| Qg-GateCharge | 180 nC |
| Qg-栅极电荷 | 180 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 23 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 23 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 160 ns |
| 下降时间 | 79 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6040pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 270nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 56A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 其它名称 | *IRFP90N20DPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 43 ns |
| 功率-最大值 | 580W |
| 功率耗散 | 580 W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 23 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 180 nC |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 39 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 94 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 94A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfp90n20d.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfp90n20d.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 30 V |
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