ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFP90N20DPBF
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Datasheet下载- 型号： IRFP90N20DPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP90N20DPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP90N20DPBF价格参考￥16.22-￥17.28。International RectifierIRFP90N20DPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 200V 94A（Tc） 580W（Tc） TO-247AC。您可以下载IRFP90N20DPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFP90N20DPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFP90N20DPBF是一款N沟道功率MOSFET，其应用场景广泛，尤其适用于高电压和中等电流的应用。以下是该器件的主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）：IRFP90N20DPBF常用于开关电源中的主开关管，能够承受较高的电压（最大耐压为200V），适合于各种离线式开关电源、DC-DC转换器等。 2. 电机驱动：在电机控制应用中，该MOSFET可以用于驱动直流电机或步进电机。它能够快速开关，提供高效的电流控制，同时具有较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少发热并提高效率。 3. 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中，IRFP90N20DPBF可以作为开关元件，将直流电转换为交流电。其高耐压特性使其能够在复杂的电力转换系统中稳定工作。 4. 不间断电源（UPS）：在UPS系统中，这款MOSFET可以用于电池充电电路和逆变电路中，确保在市电中断时能够迅速切换到备用电源，并且保持稳定的输出。 5. 工业自动化：在工业控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器等设备中，IRFP90N20DPBF可用于信号隔离、负载切换等功能，确保系统的可靠性和安全性。 6. 汽车电子：尽管主要应用于工业领域，但在某些汽车电子系统中，如车载充电器、电动助力转向系统等，也可以看到这款MOSFET的身影。 7. 家电产品：例如电磁炉、微波炉等家用电器中，IRFP90N20DPBF可以用于加热控制、风扇调速等功能模块，提升产品的性能和用户体验。 总之，IRFP90N20DPBF凭借其优异的电气特性和可靠性，在众多需要高效能功率管理的应用场合中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 94A TO-247ACMOSFET MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 94 A |
| Id-连续漏极电流 | 94 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFP90N20DPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFP90N20DPBF |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 580 W |
| Pd-功率耗散 | 580 W |
| Qg-GateCharge | 180 nC |
| Qg-栅极电荷 | 180 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 23 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 23 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 160 ns |
| 下降时间 | 79 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6040pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 270nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 56A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 其它名称 | *IRFP90N20DPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 43 ns |
| 功率-最大值 | 580W |
| 功率耗散 | 580 W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 23 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 180 nC |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 39 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 94 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 94A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfp90n20d.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfp90n20d.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 30 V |
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