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  • 型号: IRFP7530PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP7530PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP7530PBF价格参考¥8.16-¥8.16。International RectifierIRFP7530PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFP7530PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFP7530PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N CH 60V 195A TO247MOSFET MOSFET N CH 60V 195A TO247

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

195 A

Id-连续漏极电流

195 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFP7530PBFHEXFET®, StrongIRFET™

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产品型号

IRFP7530PBF

Pd-PowerDissipation

341 W

Pd-功率耗散

341 W

Qg-GateCharge

274 nC

Qg-栅极电荷

274 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.65 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1.65 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3.7 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3.7 V

上升时间

141 ns

下降时间

104 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.7V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

13703pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

411nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2 毫欧 @ 100A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247

典型关闭延迟时间

172 ns

功率-最大值

341W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

25

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

75

正向跨导-最小值

242 S

漏源极电压(Vdss)

60V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/60-V-StrongIRFET-Power-MOSFETs/52378

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

195A (Tc)

配置

Single

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