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  • 型号: IRFP4868PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP4868PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP4868PBF价格参考¥19.67-¥43.42。International RectifierIRFP4868PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFP4868PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFP4868PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 300V 70A TO-247ACMOSFET 300V, 70A, 32 mOhm 180 nC Qg, TO-247AC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

70 A

Id-连续漏极电流

70 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFP4868PBF-

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产品型号

IRFP4868PBF

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

517 W

Pd-功率耗散

517 W

Qg-GateCharge

270 nC

Qg-栅极电荷

270 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

32 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

32 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

300 V

Vds-漏源极击穿电压

300 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

5 V

上升时间

16 ns

下降时间

45 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

10774pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

270nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

32 毫欧 @ 42A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247AC

典型关闭延迟时间

62 ns

功率-最大值

517W

功率耗散

517 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

32 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

25

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

270 nC

标准包装

25

正向跨导-最小值

80 S

汲极/源极击穿电压

300 V

漏极连续电流

70 A

漏源极电压(Vdss)

300V

特色产品

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/international-rectifier-300-v-power-mosfets/3188

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

70A (Tc)

通道模式

Enhancement

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