数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP4868PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP4868PBF价格参考¥19.67-¥43.42。International RectifierIRFP4868PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFP4868PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFP4868PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 300V 70A TO-247ACMOSFET 300V, 70A, 32 mOhm 180 nC Qg, TO-247AC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 70 A |
Id-连续漏极电流 | 70 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFP4868PBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRFP4868PBF |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 517 W |
Pd-功率耗散 | 517 W |
Qg-GateCharge | 270 nC |
Qg-栅极电荷 | 270 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 32 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 32 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 300 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
上升时间 | 16 ns |
下降时间 | 45 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10774pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 270nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 32 毫欧 @ 42A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247AC |
典型关闭延迟时间 | 62 ns |
功率-最大值 | 517W |
功率耗散 | 517 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 32 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 25 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 270 nC |
标准包装 | 25 |
正向跨导-最小值 | 80 S |
汲极/源极击穿电压 | 300 V |
漏极连续电流 | 70 A |
漏源极电压(Vdss) | 300V |
特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/international-rectifier-300-v-power-mosfets/3188 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 70A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |