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Datasheet下载- 型号： IRFP4668PBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP4668PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP4668PBF价格参考。International RectifierIRFP4668PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 200V 130A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC。您可以下载IRFP4668PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFP4668PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的型号为IRFP4668PBF的晶体管属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，且为单通道设计。该型号具有高电压、大电流的特点，适用于多种工业和电源管理场景，以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） IRFP4668PBF因其高耐压（500V）和低导通电阻特性，常用于开关电源的设计中，例如AC-DC转换器或DC-DC转换器。它能够高效地处理高压输入和大电流输出，满足电源系统的性能需求。 2. 电机驱动 该MOSFET适合用于驱动中小型电机，尤其是在工业自动化设备、家用电器（如风扇、泵等）以及电动工具中。其快速开关能力和低损耗特性有助于提高电机控制效率。 3. 逆变器 在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，IRFP4668PBF可用于将直流电转换为交流电。它的高耐压和大电流承载能力使其成为理想选择。 4. 负载切换 该器件可用于负载切换电路，以实现对高功率负载的安全控制。例如，在汽车电子系统或工业控制系统中，它可以作为开关元件来控制负载的通断。 5. 脉宽调制（PWM）应用 IRFP4668PBF适用于需要高频PWM信号的应用场景，如LED驱动、音频放大器和其他需要精确功率调节的场合。 6. 保护电路 在过流保护、短路保护等电路中，该MOSFET可以用作开关元件，确保在异常情况下切断电流流动，从而保护整个系统。 总结来说，IRFP4668PBF凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于高压、大电流的功率转换和控制领域，是许多工业和消费类电子产品中的关键组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 130A TO-247ACMOSFET MOSFT 200V 130A 2.6mOhm 161nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 130 A |
| Id-连续漏极电流 | 130 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFP4668PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFP4668PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 520 W |
| Pd-功率耗散 | 520 W |
| Qg-GateCharge | 161 nC |
| Qg-栅极电荷 | 161 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 105 ns |
| 下降时间 | 74 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10720pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 241nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.7 毫欧 @ 81A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 典型关闭延迟时间 | 64 ns |
| 功率-最大值 | 520W |
| 功率耗散 | 520 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 9.7 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 161 nC |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 150 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 130 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 130A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfp4668.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfp4668.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 30 V |
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