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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP460PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP460PBF价格参考¥询价-¥询价。VishayIRFP460PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 280W(Tc) TO-247-3。您可以下载IRFP460PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFP460PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFP460PBF是一种N沟道功率MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于高功率、高频开关电路中。它具有低导通电阻、快速开关速度和较高的耐压能力,适用于多种电力电子设备。 应用场景: 1. 电源管理: - IRFP460PBF常用于开关电源(SMPS)中的主开关管。其高耐压(500V)和低导通电阻(0.18Ω)使其能够高效地处理大电流和高电压,适用于AC-DC转换器、DC-DC变换器等。 - 在不间断电源(UPS)系统中,该器件可以用于逆变器部分,实现高效的能量转换。 2. 电机驱动: - 该MOSFET适用于直流电机、步进电机和无刷直流电机的驱动电路。其快速开关特性有助于减少电机启动时的电流冲击,并提高系统的响应速度。 - 在电动车辆(如电动汽车、电动自行车)的电机控制系统中,IRFP460PBF可用于驱动电机,确保高效的能量传输和控制。 3. 逆变器: - 在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中,IRFP460PBF可以作为主要的开关元件,将直流电转换为交流电。其高耐压和低损耗特性使其非常适合这种应用。 - 它还可以用于焊接机中的逆变器电路,提供稳定的输出功率。 4. 高频开关电路: - 由于其快速开关速度和低栅极电荷,IRFP460PBF在高频开关应用中表现出色,如无线电发射机、雷达系统等。它可以有效地减少开关损耗,提高系统的效率。 5. 脉宽调制(PWM)控制器: - 在PWM控制器中,IRFP460PBF可以用作功率级的开关元件,调节输出电压或电流。其快速响应时间有助于实现精确的控制。 6. 过流保护电路: - 该器件可以用于设计过流保护电路,当检测到异常电流时迅速切断电路,保护其他敏感元件免受损坏。 总之,IRFP460PBF凭借其优异的电气性能和可靠性,在电力电子、工业自动化、通信设备等领域有着广泛的应用前景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247ACMOSFET N-Chan 500V 20 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
Id-连续漏极电流 | 20 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFP460PBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRFP460PBFIRFP460PBF |
Pd-PowerDissipation | 280 W |
Pd-功率耗散 | 280 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 270 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 270 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 59 ns |
下降时间 | 58 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4200pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 210nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 270 毫欧 @ 12A,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
其它名称 | *IRFP460PBF |
典型关闭延迟时间 | 110 ns |
功率-最大值 | 280W |
功率耗散 | 280 W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 270 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 25 |
汲极/源极击穿电压 | 500 V |
漏极连续电流 | 20 A |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |