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Datasheet下载- 型号： IRFP460APBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP460APBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP460APBF价格参考￥13.08-￥28.87。VishayIRFP460APBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 20A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3。您可以下载IRFP460APBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFP460APBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFP460APBF 是一种 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种高功率电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：IRFP460APBF 常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器等电源管理系统中。它能够高效地控制电流的通断，减少能量损失，提高系统的整体效率。 2. 电机驱动：在工业自动化和家电领域，IRFP460APBF 适用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机。它具有低导通电阻和快速开关特性，可以有效降低发热，延长电机寿命。 3. 不间断电源（UPS）：在 UPS 系统中，IRFP460APBF 可以用于电池充电电路和逆变电路，确保在市电中断时，负载能够持续获得稳定的电力供应。 4. 焊接设备：高频逆变式焊机中，IRFP460APBF 能够提供高效的功率输出，保证焊接过程的稳定性和可靠性。 5. 通信基站：在通信基站的电源模块中，IRFP460APBF 可以用于电压调节和电流保护，确保基站设备的正常运行。 6. 电动汽车：在电动汽车的动力系统中，IRFP460APBF 可用于电池管理系统（BMS）、电动机控制器等关键部件，提升车辆的能效和安全性。 7. 音频放大器：一些大功率音频放大器也会使用 IRFP460APBF 来实现高效的功率输出，确保音质清晰且不失真。 8. 医疗设备：在某些医疗设备中，如 X 光机、超声波设备等，IRFP460APBF 可以用于高压发生器和电源管理部分，确保设备的稳定性和安全性。 总之，IRFP460APBF 凭借其优异的电气性能和可靠性，在多种高功率应用场合中发挥着重要作用。它不仅能够提高系统的效率和稳定性，还能有效降低能耗和维护成本。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247ACMOSFET N-Chan 500V 20 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFP460APBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFP460APBFIRFP460APBF |
| Pd-PowerDissipation | 280 W |
| Pd-功率耗散 | 280 W |
| Qg-GateCharge | 105 nC |
| Qg-栅极电荷 | 105 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 270 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 270 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 55 ns |
| 下降时间 | 39 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 105nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 270 毫欧 @ 12A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | *IRFP460APBF |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 280W |
| 功率耗散 | 280 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 270 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 105 nC |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 11 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 20 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 30 V |
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