ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFP4568PBF
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Datasheet下载- 型号： IRFP4568PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP4568PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP4568PBF价格参考￥18.81-￥41.57。International RectifierIRFP4568PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 150V 171A（Tc） 517W（Tc） TO-247AC。您可以下载IRFP4568PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFP4568PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies生产的IRFP4568PBF是一款N沟道功率MOSFET，具有广泛的应用场景。这款晶体管的主要特点包括低导通电阻（Rds(on)）、高击穿电压（V(BR)DSS）和快速开关速度，使其适用于多种电力电子设备中。 1. 电源管理：IRFP4568PBF常用于开关电源（SMPS）设计中，特别是在DC-DC转换器、AC-DC适配器和不间断电源（UPS）系统中。其低导通电阻有助于减少传导损耗，提高效率；而快速开关特性则有助于降低开关损耗，提升整体性能。 2. 电机驱动：该MOSFET也适用于各类电机驱动应用，如步进电机、无刷直流电机（BLDC）和有刷直流电机的控制电路。它能够承受较大的电流波动，并提供稳定的开关性能，确保电机运行平稳高效。 3. 电池管理系统（BMS）：在电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV）及便携式电子设备的电池管理系统中，IRFP4568PBF可用于充放电控制、过流保护等功能。其高可靠性与良好的热稳定性使得它能够在严苛的工作环境下保持正常工作。 4. 逆变器与变频器：对于太阳能逆变器、工业变频器等需要频繁进行功率变换的应用场合，IRFP4568PBF凭借其优异的电气参数和散热性能成为理想选择。它可以有效处理大功率信号，同时保证系统的稳定性和安全性。 5. 其他应用：此外，这款MOSFET还可应用于音频放大器、电磁阀驱动、固态继电器等领域，满足不同行业对高性能功率开关元件的需求。 总之，Infineon Technologies的IRFP4568PBF凭借其出色的电气特性和广泛的适用性，在众多电力电子领域展现出卓越的表现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 171A TO-247ACMOSFET MOSFT 150V 171 5.9mOhm 151nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 171 A |
| Id-连续漏极电流 | 171 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFP4568PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFP4568PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 517 W |
| Pd-功率耗散 | 517 W |
| Qg-GateCharge | 151 nC |
| Qg-栅极电荷 | 151 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10470pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 227nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.9 毫欧 @ 103A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 功率-最大值 | 517W |
| 功率耗散 | 517 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 4.8 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 151 nC |
| 标准包装 | 25 |
| 汲极/源极击穿电压 | 150 V |
| 漏极连续电流 | 171 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 171A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfp4568pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfp4568pbf.spi |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | 30 V |
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