ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFP450PBF
Datasheet下载- 型号： IRFP450PBF
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP450PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP450PBF价格参考。VishayIRFP450PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3。您可以下载IRFP450PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFP450PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRFP450PBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于多种电力电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：该器件常用于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器中，作为主开关或同步整流器。它能够高效地控制电流的通断，减少能量损耗，提高电源转换效率。 2. 电机驱动：在电动工具、家电以及工业自动化系统中，IRFP450PBF可以用于驱动直流电机或步进电机。其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低发热，延长使用寿命，并提供稳定的电流输出。 3. 逆变器与变频器：对于太阳能逆变器和变频空调等设备，这款MOSFET能够在高频条件下工作，实现高效的电能转换。其快速开关特性使得它适合用于脉宽调制（PWM）电路，以调节输出电压和频率。 4. 电池管理系统（BMS）：在电动汽车和储能系统中，IRFP450PBF可用于保护电路，防止过充、过放及短路等情况发生。通过精确控制充电和放电路径，确保电池组的安全运行。 5. 消费电子产品：如笔记本电脑适配器、智能手机快充模块等，该MOSFET凭借其紧凑的封装尺寸和良好的电气性能，成为这些产品内部电路的理想选择。 总之，IRFP450PBF凭借其优异的开关速度、较低的导通电阻以及可靠的耐压能力，在各类电力转换和控制系统中发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 14A TO-247ACMOSFET N-Chan 500V 14 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 14 A |
| Id-连续漏极电流 | 14 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFP450PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFP450PBFIRFP450PBF |
| Pd-PowerDissipation | 190 W |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 400 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 400 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 47 ns |
| 下降时间 | 44 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 400 毫欧 @ 8.4A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | *IRFP450PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 92 ns |
| 功率-最大值 | 190W |
| 功率耗散 | 190 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 400 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 14 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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