(cid:2)(cid:3)(cid:1)(cid:4)(cid:1)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:6)(cid:5)(cid:8) IRFP4229PbF (cid:1)(cid:2)(cid:1)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9) Features Key Parameters (cid:1) Advanced Process Technology (cid:1) Key Parameters Optimized for PDP Sustain, VDS min 250 V Energy Recovery and Pass Switch Applications V typ. 300 V DS (Avalanche) (cid:1) Low EPULSE Rating to Reduce Power R typ. @ 10V 38 m(cid:0) DS(ON) Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery I max @ T = 100°C 87 A and Pass Switch Applications RP C (cid:1) Low QG for Fast Response TJ max 175 °C (cid:1) High Repetitive Peak Current Capability for D D Reliable Operation (cid:1) Short Fall & Rise Times for Fast Switching (cid:1)175°C Operating Junction Temperature for S Improved Ruggedness G D (cid:1) Repetitive Avalanche Capability for Robustness G and Reliability S TO-247AC G D S Gate Drain Source Description (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)HEXFET® Power MOSFET(cid:5)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:3)(cid:9)(cid:3)(cid:8)(cid:10)(cid:11)(cid:11)(cid:12)(cid:5)(cid:13)(cid:7)(cid:4)(cid:3)(cid:14)(cid:15)(cid:7)(cid:13)(cid:5)(cid:9)(cid:16)(cid:17)(cid:5)(cid:18)(cid:19)(cid:4)(cid:20)(cid:10)(cid:3)(cid:15)(cid:21)(cid:5)(cid:22)(cid:15)(cid:7)(cid:17)(cid:14)(cid:12)(cid:5)(cid:23)(cid:7)(cid:8)(cid:16)(cid:24)(cid:7)(cid:17)(cid:12)(cid:5)(cid:25)(cid:5)(cid:26)(cid:10)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:27)(cid:3)(cid:20)(cid:8)(cid:2) (cid:10)(cid:6)(cid:6)(cid:11)(cid:3)(cid:8)(cid:10)(cid:20)(cid:3)(cid:16)(cid:15)(cid:4)(cid:5)(cid:3)(cid:15)(cid:5)(cid:26)(cid:11)(cid:10)(cid:4)(cid:28)(cid:10)(cid:5)(cid:29)(cid:3)(cid:4)(cid:6)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:5)(cid:26)(cid:10)(cid:15)(cid:7)(cid:11)(cid:4)(cid:30)(cid:5)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)MOSFET(cid:5)(cid:19)(cid:20)(cid:3)(cid:11)(cid:3)(cid:31)(cid:7)(cid:4)(cid:5)(cid:20)(cid:2)(cid:7)(cid:5)(cid:11)(cid:10)(cid:20)(cid:7)(cid:4)(cid:20)(cid:5)(cid:6)(cid:17)(cid:16)(cid:8)(cid:7)(cid:4)(cid:4)(cid:3)(cid:15)(cid:14)(cid:5)(cid:20)(cid:7)(cid:8)(cid:2)(cid:15)(cid:3) (cid:19)(cid:7)(cid:4)(cid:5)(cid:20)(cid:16)(cid:5)(cid:10)(cid:8)(cid:2)(cid:3)(cid:7)(cid:24)(cid:7) (cid:11)(cid:16)(cid:27)(cid:5)(cid:16)(cid:15)!(cid:17)(cid:7)(cid:4)(cid:3)(cid:4)(cid:20)(cid:10)(cid:15)(cid:8)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:17)(cid:5)(cid:4)(cid:3)(cid:11)(cid:3)(cid:8)(cid:16)(cid:15)(cid:5)(cid:10)(cid:17)(cid:7)(cid:10)(cid:5)(cid:10)(cid:15)(cid:13)(cid:5)(cid:11)(cid:16)(cid:27)(cid:5)(cid:22)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:17)(cid:10)(cid:20)(cid:3)(cid:15)(cid:14)(cid:30)(cid:5)"(cid:13)(cid:13)(cid:3)(cid:20)(cid:3)(cid:16)(cid:15)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:9)(cid:7)(cid:10)(cid:20)(cid:19)(cid:17)(cid:7)(cid:4)(cid:5)(cid:16)(cid:9)(cid:5)(cid:20)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)MOSFET(cid:5)(cid:10)(cid:17)(cid:7)(cid:5)#$%&’ (cid:16)(cid:6)(cid:7)(cid:17)(cid:10)(cid:20)(cid:3)(cid:15)(cid:14)(cid:5)((cid:19)(cid:15)(cid:8)(cid:20)(cid:3)(cid:16)(cid:15)(cid:5)(cid:20)(cid:7)(cid:28)(cid:6)(cid:7)(cid:17)(cid:10)(cid:20)(cid:19)(cid:17)(cid:7)(cid:5)(cid:10)(cid:15)(cid:13)(cid:5)(cid:2)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:5)(cid:17)(cid:7)(cid:6)(cid:7)(cid:20)(cid:3)(cid:20)(cid:3)(cid:24)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:10))(cid:5)(cid:8)(cid:19)(cid:17)(cid:17)(cid:7)(cid:15)(cid:20)(cid:5)(cid:8)(cid:10)(cid:6)(cid:10)*(cid:3)(cid:11)(cid:3)(cid:20)(cid:12)(cid:30)(cid:5)(cid:1)(cid:2)(cid:7)(cid:4)(cid:7)(cid:5)(cid:9)(cid:7)(cid:10)(cid:20)(cid:19)(cid:17)(cid:7)(cid:4)(cid:5)(cid:8)(cid:16)(cid:28)*(cid:3)(cid:15)(cid:7)(cid:5)(cid:20)(cid:16) (cid:28)(cid:10))(cid:7)(cid:5)(cid:20)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)MOSFET(cid:5)(cid:10)(cid:5)(cid:2)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:11)(cid:12)(cid:5)(cid:7)(cid:9)(cid:9)(cid:3)(cid:8)(cid:3)(cid:7)(cid:15)(cid:20)+(cid:5)(cid:17)(cid:16)*(cid:19)(cid:4)(cid:20)(cid:5)(cid:10)(cid:15)(cid:13)(cid:5)(cid:17)(cid:7)(cid:11)(cid:3)(cid:10)*(cid:11)(cid:7)(cid:5)(cid:13)(cid:7)(cid:24)(cid:3)(cid:8)(cid:7)(cid:5)(cid:9)(cid:16)(cid:17)(cid:5)(cid:26)(cid:29)(cid:26)(cid:5)(cid:13)(cid:17)(cid:3)(cid:24)(cid:3)(cid:15)(cid:14)(cid:5)(cid:10)(cid:6)(cid:6)(cid:11)(cid:3)(cid:8)(cid:10)(cid:20)(cid:3)(cid:16)(cid:15)(cid:4)(cid:30) Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units V Gate-to-Source Voltage ±30 V GS I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V 44 A D C GS I @ T = 100°C Continuous Drain Current, V @ 10V 31 D C GS I Pulsed Drain Current (cid:0) 180 DM I @ T = 100°C Repetitive Peak Current (cid:1) 87 RP C P @T = 25°C Power Dissipation 310 W D C P @T = 100°C Power Dissipation 150 D C Linear Derating Factor 2.0 W/°C T Operating Junction and -40 to + 175 °C J T Storage Temperature Range STG Soldering Temperature for 10 seconds 300 Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw 10lb(cid:3)in (1.1N(cid:3)m) N Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units R Junction-to-Case (cid:2) ––– 0.49 θJC R Case-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.24 ––– °C/W θCS R Junction-to-Ambient (cid:2) ––– 40 θJA Notes(cid:1)(cid:1)(cid:2)through (cid:3) are on page 8 www.irf.com 1 09/14/07

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:3) Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions BV Drain-to-Source Breakdown Voltage 250 ––– ––– V V = 0V, I = 250µA DSS GS D ∆ΒVDSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 210 ––– mV/°C Reference to 25°C, ID = 1mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 38 46 mΩ VGS = 10V, ID = 26A (cid:3) V Gate Threshold Voltage 3.0 ––– 5.0 V V = V , I = 250µA GS(th) DS GS D ∆V /∆T Gate Threshold Voltage Coefficient ––– -14 ––– mV/°C GS(th) J I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 20 µA V = 250V, V = 0V DSS DS GS ––– ––– 1.0 mA V = 250V, V = 0V, T = 125°C DS GS J I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 nA V = 20V GSS GS Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 V = -20V GS g Forward Transconductance 83 ––– ––– S V = 25V, I = 26A fs DS D Q Total Gate Charge ––– 72 110 nC V = 125V, I = 26A, V = 10V(cid:3) g DD D GS Q Gate-to-Drain Charge ––– 26 ––– gd t Turn-On Delay Time ––– 25 ––– V = 125V, V = 10V(cid:2)(cid:3) d(on) DD GS t Rise Time ––– 27 ––– ns I = 26A r D t Turn-Off Delay Time ––– 44 ––– R = 5.0Ω d(off) G t Fall Time ––– 19 ––– See Fig. 22 f t Shoot Through Blocking Time 100 ––– ––– ns V = 200V, V = 15V, R = 4.7Ω st DD GS G L = 220nH, C= 0.3µF, V = 15V ––– 790 ––– GS E Energy per Pulse µJ V = 200V, R = 4.7Ω, T = 25°C PULSE DS G J L = 220nH, C= 0.3µF, V = 15V ––– 1390 ––– GS V = 200V, R = 4.7Ω, T = 100°C DS G J C Input Capacitance ––– 4560 ––– V = 0V iss GS C Output Capacitance ––– 390 ––– pF V = 25V oss DS C Reverse Transfer Capacitance ––– 100 ––– ƒ = 1.0MHz, rss C eff. Effective Output Capacitance ––– 290 ––– V = 0V, V = 0V to 200V oss GS DS L Internal Drain Inductance ––– 5.0 ––– Between lead, D D nH 6mm (0.25in.) L Internal Source Inductance ––– 13 ––– from package G S and center of die contact S Avalanche Characteristics Parameter Typ. Max. Units E Single Pulse Avalanche Energy(cid:0) ––– 300 mJ AS E Repetitive Avalanche Energy (cid:1) ––– 31 mJ AR V Repetitive Avalanche Voltage(cid:2)(cid:1) 300 ––– V DS(Avalanche) I Avalanche Current(cid:2)(cid:0) ––– 26 A AS Diode Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions I @ T = 25°C Continuous Source Current ––– ––– 44 MOSFET symbol S C (Body Diode) A showing the I Pulsed Source Current ––– ––– 180 integral reverse SM (Body Diode)(cid:2)(cid:1) p-n junction diode. V Diode Forward Voltage ––– ––– 1.3 V T = 25°C, I = 26A, V = 0V (cid:3) SD J S GS t Reverse Recovery Time ––– 190 290 ns T = 25°C, I = 26A, V = 50V rr J F DD Q Reverse Recovery Charge ––– 840 1260 nC di/dt = 100A/µs (cid:3) rr 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:3) 1000 1000 VGS VGS TOP 15V TOP 15V CAuenrr()t 100 BOTTOM 187665.....000505VVVVVV CAuenrr()t 100 BOTTOM 187665.....000505VVVVVV Souecr Souecr 5.5V Danor--ti 10 Danor--ti 10 ,D ,D I 5.5V I ≤ 60µs PULSE WIDTH ≤ 60µs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 175°C 1 1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000 3.5 e I = 26A c D n )nt Α( 100 aessti 3.0 VGS = 10V Cuerr TJ = 175°C ORn 2.5 DSanoouecr--r t I,iD 00.10.1011 TJV≤ D=6 0S2µ 5=s° C2P5UVLSE WIDTH DSnoaouecr--r, t iRDSon() mNoaedz(r) li 0112....5050 0.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature (°C) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature 1600 1400 L = 220nH L = 220nH C = 0.3µF C = Variable 1200 100°C 100°C 1200 25°C 25°C J) J)1000 µ µ e( e( s s ul ul 800 p p er 800 er p p y y 600 g g er er n n E E 400 400 200 0 0 150 160 170 180 190 200 100 110 120 130 140 150 160 170 VDS, Drain-to -Source Voltage (V) ID, Peak Drain Current (A) Fig 5. Typical E vs. Drain-to-Source Voltage Fig 6. Typical E vs. Drain Current PULSE PULSE www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:3) 2000 1000 L = 220nH 1600 C= 0.3µF A) eµsJ() 1200 CC== 00..21µµFF Cuenrr(t 100 TJ = 175°C ul n epr Dari 10 nepgyr 800 eveser E R 400 , DS 1 TJ = 25°C I V = 0V GS 0 0.1 25 50 75 100 125 150 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 Temperature (°C) VSD, Source-to-Drain Voltage (V) Fig 7. Typical EPULSE vs.Temperature Fig 8. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage 7000 20 VGS = 0V, f = 1 MHZ ID= 26A 6000 CCCirssss === CCCggsd ++ CCgd, Cds SHORTED Vge() 16 VVDDSS== 116000VV Fp) 5000 Ciss oss ds gd Vaotl VDS= 40V nec( 4000 uecr 12 a o apacti 3000 Seo--t 8 CC , 2000 Coss Ga t,GS 4 V 1000 Crss 0 0 0 20 40 60 80 100 120 1 10 100 1000 QG Total Gate Charge (nC) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 9. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage Fig 10. Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage 50 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R (on) DS 40 An()t 100 1µsec An()t Cuerr 100µsec 10µsec Cuerr 30 uecr 10 Danr ,iD 20 Sanoo--ti I Dr 1 10 , D Tc = 25°C I Tj = 175°C Single Pulse 0 0.1 25 50 75 100 125 150 175 1 10 100 1000 TJ, Junction Temperature (°C) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 11. Maximum Drain Current vs. Case Temperature Fig 12. Maximum Safe Operating Area 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:3) 1200 )Ranenecss(t iΩ 00..3400 ID = 26A mEnegheyJr() 1800000 T B OO PT T O M 9 52I.7.68DAAA O c ouecr 0.20 Aaanvl 600 Sno--t Pues l 400 Dari 0.10 TJ = 125°C eg l on), TJ = 25°C SniS , 200 (S A D E R 0.00 0 5 6 7 8 9 10 25 50 75 100 125 150 175 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) Starting TJ, Junction Temperature (°C) Fig 13. On-Resistance Vs. Gate Voltage Fig 14. Maximum Avalanche Energy Vs. Temperature 5.0 140 ton= 1µs V) 4.5 120 Duty cycle = 0.25 ge( A) HSqaulf aSrein eP uWlsaeve Vaod tl 4.0 ID = 250µA uenrr(t 100 ol 3.5 C 80 hehsr Peak Gea ttSh()t 23..50 Reepev ttii 4600 G V 2.0 20 1.5 0 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 25 50 75 100 125 150 175 TJ , Temperature ( °C ) Case Temperature (°C) Fig 15. Threshold Voltage vs. Temperature Fig 16. Typical Repetitive peak Current vs. Case temperature 1 ) D = 0.50 C J h Z t 0.1 0.20 es( 0.10 pon 0.05 R1R1 R2R2 R3R3 Ri (°C/W) τι (sec) es τJτJ τCτ 0.104678 0.000148 mRear l 0.01 00..0021 τ1Cτi1C= iτ=i /τRi/iRi τ2τ2 τ3τ3 00..21262269087 00.0.0011582376 h T Notes: SINGLE PULSE 1. Duty Factor D = t1/t2 ( THERMAL RESPONSE ) 2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc 0.001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 t , Rectangular Pulse Duration (sec) 1 Fig 17. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:3) Driver Gate Drive (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4) P.W. Period D = + P.W. Period (cid:23)(cid:23)(cid:23) (cid:1) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:2)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:1)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:2)(cid:14)(cid:15)(cid:3)(cid:9)(cid:6)(cid:2)(cid:11)(cid:12)(cid:13) VGS=10V • (cid:7)(cid:8)(cid:11)(cid:16)(cid:7)(cid:17)(cid:6)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:7)(cid:18)(cid:12)(cid:14)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:9)(cid:12)(cid:4)(cid:15) (cid:7)(cid:7) • (cid:19)(cid:3)(cid:11)(cid:5)(cid:12)(cid:14)(cid:7)(cid:20)(cid:21)(cid:9)(cid:12)(cid:15) - (cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7) (cid:7)•(cid:7)(cid:7) (cid:7) (cid:1)(cid:8)(cid:11)(cid:5)(cid:16)(cid:3)(cid:3)(cid:7)(cid:15)(cid:8)(cid:12)(cid:15)(cid:6)(cid:9)(cid:7)(cid:24)(cid:22)(cid:3)(cid:9)(cid:9)(cid:23)(cid:12)(cid:15)(cid:13)(cid:7)(cid:25)(cid:18)(cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:14)(cid:26)(cid:5)(cid:4)(cid:15)(cid:6)(cid:3)(cid:9)(cid:12)(cid:4)(cid:15) D.U.T. ISDWaveform + (cid:3) Reverse (cid:2) Recovery Body Diode Forward - - + Current Currentdi/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:4) dv/dt (cid:23) VDD (cid:2) (cid:17)(cid:19) •• (cid:27)(cid:14)(cid:28)(cid:3)(cid:29)(cid:2)(cid:28)(cid:14)(cid:15)(cid:6)(cid:7)(cid:3)(cid:4)(cid:7)(cid:13)(cid:11)(cid:9)(cid:12)(cid:26)(cid:6)(cid:3)(cid:11)(cid:15)(cid:21)(cid:7)(cid:21)(cid:6)(cid:15)(cid:10)(cid:14) (cid:7)(cid:15)(cid:30)(cid:7)(cid:10)(cid:9)(cid:7)(cid:13)(cid:31)(cid:7)(cid:1)(cid:27)!"!(cid:24)! (cid:23)(cid:27)(cid:23)(cid:27) + RVoel-tAapgpelied Body Diode Forward Drop • (cid:18)(cid:2)(cid:3)(cid:7)(cid:4)(cid:11)(cid:12)(cid:6)(cid:3)(cid:11)(cid:21)(cid:21)(cid:15)(cid:14)(cid:7)(cid:30)(cid:10)(cid:7)(cid:27)(cid:5)(cid:6)(cid:10)(cid:7)#(cid:9)(cid:4)(cid:6)(cid:11)(cid:3)(cid:7)$(cid:27)$ - Inductor Curent • (cid:27)!"!(cid:24)!(cid:7)%(cid:7)(cid:27)(cid:15)(cid:28)(cid:2)(cid:4)(cid:15)(cid:7)"(cid:12)(cid:14)(cid:15)(cid:3)(cid:7)(cid:24)(cid:15)(cid:13)(cid:6) Ripple ≤ 5% ISD (cid:23)(cid:1)(cid:18)(cid:16)(cid:12)(cid:1)(cid:19)(cid:20)(cid:21)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:24)(cid:12)(cid:14)(cid:1)(cid:15)(cid:7)(cid:10)(cid:13)(cid:12)(cid:7)(cid:1)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:1)(cid:19)(cid:20)(cid:21)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:24)(cid:12)(cid:14)(cid:1)(cid:25)(cid:12)(cid:23)(cid:16)(cid:26)(cid:7)(cid:12)(cid:27)(cid:12)(cid:24)(cid:28)(cid:16) (cid:23)(cid:23)(cid:23)(cid:1)(cid:2) (cid:1)(cid:3)(cid:1)(cid:4)(cid:2)(cid:1)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:1)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:1)(cid:8)(cid:12)(cid:13)(cid:12)(cid:14)(cid:1)(cid:15)(cid:12)(cid:13)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:16) (cid:19)(cid:17) (cid:23)(cid:23)(cid:1)(cid:17)(cid:12)(cid:13)(cid:12)(cid:7)(cid:16)(cid:12)(cid:1)(cid:19)(cid:6)(cid:14)(cid:23)(cid:7)(cid:10)(cid:28)(cid:29)(cid:1)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:1)(cid:19)(cid:20)(cid:21)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:24)(cid:12)(cid:14) Fig 18. (cid:1)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:1)(cid:13)(cid:12)(cid:14)(cid:12)(cid:15)(cid:16)(cid:12)(cid:1)(cid:13)(cid:12)(cid:17)(cid:10)(cid:14)(cid:12)(cid:15)(cid:18)(cid:1)(cid:19)(cid:12)(cid:16)(cid:20)(cid:1)(cid:21)(cid:9)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:9)(cid:20)(cid:1)for HEXFET(cid:1) Power MOSFETs V(BR)DSS 15V tp VDS L DRIVER RG D.U.T + - VDD IAS A 2V0GVS tp 0.01Ω IAS Fig 19a. Unclamped Inductive Test Circuit Fig 19b. Unclamped Inductive Waveforms Id Vds Vgs L VCC DUT 0 1K Vgs(th) Qgs1 Qgs2 Qgd Qgodr Fig 20a. Gate Charge Test Circuit Fig 20b. Gate Charge Waveform 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:3) A PULSE A RG C DRIVER L PULSE B VCC B Ipulse RG DUT t ST Fig 21a. tst and EPULSE Test Circuit Fig 21b. tst Test Waveforms Fig 21c. E Test Waveforms PULSE (cid:17)(cid:27) VDS (cid:2) (cid:27)(cid:17) 90% (cid:2) (cid:19)(cid:17) (cid:15)(cid:30)(cid:18)(cid:30)(cid:31)(cid:30) (cid:17) (cid:19) +(cid:2) - (cid:27)(cid:27) 10% (cid:2) (cid:19)(cid:17) VGS (cid:20)(cid:5)(cid:21)(cid:13)(cid:15)(cid:7)&(cid:2)(cid:14)(cid:6)’(cid:7)≤ 1 ((cid:13) (cid:27)(cid:5)(cid:6)(cid:10)(cid:7)#(cid:9)(cid:4)(cid:6)(cid:11)(cid:3)(cid:7)≤ 0.1 % td(on) tr td(off) tf Fig 22a. Switching Time Test Circuit Fig 22b. Switching Time Waveforms www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:23)(cid:15)(cid:11)(cid:18)(cid:24)(cid:9)(cid:2)(cid:25)(cid:13)(cid:26)(cid:16)(cid:17)(cid:24) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:11)(cid:7)(cid:12)(cid:5)(cid:8)(cid:2)(cid:5)(cid:8)(cid:3)(cid:2)(cid:13)(cid:13)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:15)(cid:2)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:17) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:9)(cid:14)(cid:11)(cid:12)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:9)(cid:19)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:12)(cid:22)(cid:11)(cid:13)(cid:16)(cid:21)(cid:17) (cid:1)/(cid:2)(cid:16)(cid:13)(cid:19)(cid:1)) (cid:10)(cid:23)(cid:18)(cid:22)(cid:4)(cid:18)(cid:22)(cid:4)(cid:2)(cid:14)(cid:4)(cid:18)(cid:3)(cid:21)(cid:13)(cid:1)%(cid:8)(cid:4) #(cid:18)(cid:10)(cid:23)(cid:4)(cid:2)(cid:22)(cid:22)(cid:1)(cid:16)(cid:17)(cid:19)(cid:0)(cid:4) (cid:13)(cid:2)(cid:3)(cid:10)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:1)(cid:3) (cid:19)(cid:12)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:12)(cid:9)(cid:1)(cid:4)&0&1 (cid:18)(cid:14)(cid:10)(cid:1)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:10)(cid:18)(cid:12)(cid:14)(cid:2)(cid:19) (cid:2)(cid:22)(cid:22)(cid:1)(cid:16)(cid:17)(cid:19)(cid:1)(cid:9)(cid:4)(cid:12)(cid:14)(cid:4)##(cid:4)%&’(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:5) (cid:3)(cid:1)(cid:11)(cid:10)(cid:18)(cid:21)(cid:18)(cid:1)(cid:3) (cid:0)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6) (cid:19)(cid:12)(cid:20)(cid:12) (cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:0)(cid:6) (cid:18)(cid:14)(cid:4)(cid:10)(cid:23)(cid:1)(cid:4)(cid:2)(cid:22)(cid:22)(cid:1)(cid:16)(cid:17)(cid:19)(cid:0)(cid:4)(cid:19)(cid:18)(cid:14)(cid:1)(cid:4) (cid:23) (cid:0)(cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:0)(cid:3) (cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:1)(cid:4)(cid:11)(cid:12)(cid:9)(cid:1) (cid:2)(cid:22)(cid:22)(cid:1)(cid:16)(cid:17)(cid:19)(cid:0) (cid:0)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:5) (cid:14)((cid:29)(cid:30))(cid:4) (cid:13) (cid:4)(cid:24)(cid:25)(cid:4)(cid:28)(cid:31)(cid:31)(cid:30)*+,-(cid:4),(cid:24)(cid:25)(cid:30)(cid:4).((cid:31)(cid:24)(cid:29)(cid:24)((cid:25) (cid:19)(cid:12)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:12)(cid:9)(cid:1) #(cid:1)(cid:1)$(cid:4)%& (cid:24)(cid:25)(cid:26)(cid:24)(cid:27)(cid:28)(cid:29)(cid:30)(cid:31)(cid:4) (cid:19)(cid:30)(cid:28)(cid:26)!(cid:21)"(cid:30)(cid:30) (cid:19)(cid:18)(cid:14)(cid:1)(cid:4)(cid:23) TO-247AC package is not recommended for Surface Mount Application. (cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10) (cid:4)(cid:1)Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. (cid:3) (cid:1)Starting TJ = 25°C, L = 0.85mH, RG = 25Ω, IAS = 26A. (cid:1) Pulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2%. (cid:2) Rθ is measured at TJ of approximately 90°C. (cid:5) Half sine wave with duty cycle = 0.25, ton=1µsec. Note: For the most current drawing please refer to IR website at: http://www.irf.com/package/ Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for the Industrial market. Qualification Standards can be found on IR’s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information. 09/2007 8 www.irf.com

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRFP4229PBF