【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IRFP3710PBF】封装/厂家_IRFP3710PBF中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFP3710PBF

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： IRFP3710PBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP3710PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP3710PBF价格参考。International RectifierIRFP3710PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 100V 57A（Tc） 200W（Tc） TO-247AC。您可以下载IRFP3710PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFP3710PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRFP3710PBF是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。其应用场景主要包括以下几个方面：

 1. 电源管理
   - IRFP3710PBF常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC转换器中，作为主开关器件或同步整流器件。
   - 它适用于高效能的降压或升压转换器，能够处理高电流负载。

 2. 电机驱动
   - 在电机控制领域，该型号可用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机（BLDC）。
   - 其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高系统效率。

 3. 逆变器
   - IRFP3710PBF适用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）和其他类型的逆变器电路。
   - 在这些应用中，它作为功率级开关，实现高效的电能转换。

 4. 工业自动化
   - 该MOSFET可用于工业自动化设备中的固态继电器、电磁阀驱动和负载切换。
   - 它能够承受较高的电压（60V额定值）和电流（连续 drain 电流高达85A），适合工业环境下的大功率应用。

 5. 汽车电子
   - 虽然IRFP3710PBF并非专为汽车设计，但其性能使其也可用于某些非关键性的车载应用，如车灯控制、风扇电机驱动或电池管理系统（BMS）中的开关元件。

 6. 消费电子产品
   - 在家用电器（如空调、冰箱、洗衣机等）中，IRFP3710PBF可用于压缩机驱动、风扇控制或其他需要高电流处理能力的场景。

 性能特点支持的应用需求：
- 低导通电阻：减少传导损耗，提高效率。
- 高电流能力：适合大功率应用。
- 快速开关特性：降低开关损耗，支持高频工作。
- 坚固耐用：具备良好的热特性和抗浪涌能力。

总之，IRFP3710PBF凭借其高性能参数，广泛应用于需要高效功率转换和控制的各类场景中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 100V 57A TO-247ACMOSFET MOSFT 100V 51A 250mOhm 66.7nCAC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	51 A
Id-连续漏极电流	51 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFP3710PBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRFP3710PBF
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	180 W
Pd-功率耗散	180 W
Qg-GateCharge	66.7 nC
Qg-栅极电荷	66.7 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	250 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	250 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	3000pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	190nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	25 毫欧 @ 28A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-247AC
其它名称	*IRFP3710PBF
功率-最大值	200W
功率耗散	180 W
包装	散装
商标	International Rectifier
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	250 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-247-3
封装/箱体	TO-247-3
工厂包装数量	25
晶体管极性	N-Channel
栅极电荷Qg	66.7 nC
标准包装	25
汲极/源极击穿电压	100 V
漏极连续电流	51 A
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	57A （Tc）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfp3710.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfp3710.spi
闸/源击穿电压	20 V