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  • 型号: IRFP3415PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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IRFP3415PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP3415PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP3415PBF价格参考。International RectifierIRFP3415PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 150V 43A(Tc) 200W(Tc) TO-247AC。您可以下载IRFP3415PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFP3415PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 150V 43A TO-247ACMOSFET MOSFT 150V 43A 42mOhm 144.4nCAC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

43 A

Id-连续漏极电流

43 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFP3415PBFHEXFET®

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产品型号

IRFP3415PBF

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

200 W

Pd-功率耗散

200 W

Qg-GateCharge

133.3 nC

Qg-栅极电荷

133.3 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

42 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

42 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

150 V

Vds-漏源极击穿电压

150 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2400pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

200nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

42 毫欧 @ 22A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247AC

其它名称

*IRFP3415PBF

功率-最大值

200W

包装

散装

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

25

晶体管极性

N-Channel

标准包装

25

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

43A (Tc)

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