ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRFP3077PBF
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRFP3077PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP3077PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP3077PBF价格参考。International RectifierIRFP3077PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 75V 120A(Tc) 340W(Tc) TO-247AC。您可以下载IRFP3077PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFP3077PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-247ACMOSFET MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 200 A |
Id-连续漏极电流 | 200 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFP3077PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFP3077PBF |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 340 W |
Pd-功率耗散 | 340 W |
Qg-GateCharge | 160 nC |
Qg-栅极电荷 | 160 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9400pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 220nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.3 毫欧 @ 75A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247AC |
功率-最大值 | 340W |
功率耗散 | 340 W |
包装 | 散装 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 2.8 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 25 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 160 nC |
标准包装 | 25 |
汲极/源极击穿电压 | 75 V |
漏极连续电流 | 200 A |
漏源极电压(Vdss) | 75V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |
配置 | Single Dual Drain |
闸/源击穿电压 | 20 V |