参数 |
数值 |
产品目录 |
分立半导体产品半导体 |
ChannelMode |
Enhancement |
描述 |
MOSFET N-CH 200V 20A TO-247ACMOSFET N-Chan 200V 20 Amp |
产品分类 |
FET - 单分离式半导体 |
FET功能 |
标准 |
FET类型 |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent |
20 A |
Id-连续漏极电流 |
20 A |
品牌 |
Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 |
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产品图片 |
|
rohs |
否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 |
晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFP240- |
数据手册 |
http://www.vishay.com/doc?91210 |
产品型号 |
IRFP240IRFP240 |
Pd-PowerDissipation |
150 W |
Pd-功率耗散 |
150 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance |
180 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 |
180 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage |
200 V |
Vds-漏源极击穿电压 |
200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage |
+/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 |
20 V |
上升时间 |
51 ns |
下降时间 |
36 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) |
4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) |
1300pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) |
70nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) |
180 毫欧 @ 12A,10V |
产品种类 |
MOSFET |
供应商器件封装 |
TO-247-3 |
其它名称 |
*IRFP240
|
典型关闭延迟时间 |
45 ns |
功率-最大值 |
150W |
功率耗散 |
150 W |
包装 |
管件 |
商标 |
Vishay / Siliconix |
安装类型 |
通孔 |
安装风格 |
Through Hole |
导通电阻 |
180 mOhms |
封装 |
Tube |
封装/外壳 |
TO-247-3 |
封装/箱体 |
TO-247-3 |
工厂包装数量 |
500 |
晶体管极性 |
N-Channel |
最大工作温度 |
+ 150 C |
最小工作温度 |
- 55 C |
标准包装 |
500 |
汲极/源极击穿电压 |
200 V |
漏极连续电流 |
20 A |
漏源极电压(Vdss) |
200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) |
20A (Tc) |
通道模式 |
Enhancement |
配置 |
Single |
闸/源击穿电压 |
+/- 20 V |