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IRFP150PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP150PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP150PBF价格参考。VishayIRFP150PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 41A(Tc) 230W(Tc) TO-247-3。您可以下载IRFP150PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFP150PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFP150PBF是一种N沟道功率MOSFET,主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其典型应用场景: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器和电压调节模块(VRM),提供高效的功率转换和稳定的输出电压。 2. 电机控制:用于驱动小型直流电机或步进电机,实现精准的速度和方向控制,常见于家用电器、工业自动化设备及消费电子产品中。 3. 电池管理系统:在电池充放电电路中作为开关元件,保护电池免受过充、过放和短路的影响,确保电池安全运行。 4. 逆变器与太阳能系统:用于光伏逆变器中,将直流电转换为交流电,提高能源利用效率,支持可再生能源应用。 5. 负载切换:在汽车电子和通信设备中用作负载切换开关,快速响应负载变化,减少能量损耗。 6. 音频放大器:作为音频功放电路中的输出级器件,提供大电流驱动能力,改善音质表现。 IRFP150PBF凭借其低导通电阻(Rds(on))、高击穿电压(Vds)和大电流承载能力,在上述领域展现出卓越性能,满足多种功率电子设计需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 41A TO-247ACMOSFET N-Chan 100V 41 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 41 A |
Id-连续漏极电流 | 41 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFP150PBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRFP150PBFIRFP150PBF |
Pd-PowerDissipation | 230 W |
Pd-功率耗散 | 230 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 55 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 120 ns |
下降时间 | 81 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2800pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 140nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 55 毫欧 @ 25A,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
其它名称 | *IRFP150PBF |
典型关闭延迟时间 | 60 ns |
功率-最大值 | 230W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 25 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 41A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |