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  • 型号: IRFP064
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP064由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP064价格参考。VishayIRFP064封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFP064参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFP064 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 70A TO-247ACMOSFET N-Chan 60V 70 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

70 A

Id-连续漏极电流

70 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFP064-

数据手册

http://www.vishay.com/doc?91201

产品型号

IRFP064IRFP064

Pd-PowerDissipation

300 W

Pd-功率耗散

300 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

9 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

9 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

190 ns

下降时间

190 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7400pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

190nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

9 毫欧 @ 78A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247-3

其它名称

*IRFP064

典型关闭延迟时间

110 ns

功率-最大值

300W

功率耗散

300 W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

9 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

70 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

70A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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