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详细数据请看参考数据手册

型号： IRFL4310TRPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IRFL4310TRPBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFL4310TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFL4310TRPBF价格参考￥6.87-￥8.59。International RectifierIRFL4310TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 100V 1.6A（Ta） 1W（Ta） SOT-223。您可以下载IRFL4310TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFL4310TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223MOSFET MOSFT 100V 1.6A 200mOhm 17nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	1.6 A
Id-连续漏极电流	1.6 A
品牌	International Rectifier
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFL4310TRPBFHEXFET®
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产品型号	IRFL4310TRPBF
Pd-PowerDissipation	2.1 W
Pd-功率耗散	2.1 W
Qg-GateCharge	17 nC
Qg-栅极电荷	17 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	200 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	200 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	330pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	25nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	200 毫欧 @ 1.6A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
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产品种类	MOSFET
供应商器件封装	SOT-223
其它名称	IRFL4310TRPBFCT
功率-最大值	1W
功率耗散	2.1 W
包装	剪切带（CT）
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	200 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
封装/箱体	SOT-223-3
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
栅极电荷Qg	17 nC
标准包装	1
汲极/源极击穿电压	100 V
漏极连续电流	1.6 A
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	1.6A （Ta）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfl4310.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfl4310.spi
闸/源击穿电压	20 V