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IRFL110PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFL110PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFL110PBF价格参考。VishayIRFL110PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 1.5A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223。您可以下载IRFL110PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFL110PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRFL110PBF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的电路中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 IRFL110PBF常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器中,作为主开关管或同步整流管。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少传导损耗,提高电源效率,特别适合于笔记本电脑、服务器、通信设备等对能效要求较高的应用。 2. 电机驱动 在小型电机驱动电路中,IRFL110PBF可以作为H桥或半桥驱动电路中的功率开关,控制电机的正反转和速度调节。它能够承受较大的电流波动,并且具有快速的开关特性,适用于无人机、电动工具、家用电器等设备中的电机控制。 3. 电池管理系统(BMS) 在电池管理系统中,IRFL110PBF可用于电池充放电保护电路,确保电池在过充、过放、短路等异常情况下能够及时切断电流,保护电池安全。其低导通电阻有助于减少电池的能量损耗,延长电池寿命。 4. 负载切换 在负载切换应用中,IRFL110PBF可以用作电子开关,控制不同负载之间的切换。例如,在汽车电子系统中,它可以用于控制车灯、雨刷、空调等设备的电源通断,确保这些设备在需要时能够快速响应。 5. 逆变器 在光伏逆变器和其他类型的逆变器中,IRFL110PBF可以作为高频开关元件,将直流电转换为交流电。其快速的开关特性和低损耗特性使其成为逆变器设计中的理想选择,特别是在小型太阳能逆变器中。 6. LED驱动 在LED照明系统中,IRFL110PBF可以用作恒流源或调光控制器,通过PWM(脉宽调制)方式调节LED的亮度。其低导通电阻和快速响应时间有助于实现精确的亮度控制和节能效果。 总结 IRFL110PBF凭借其低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,广泛应用于电源管理、电机驱动、电池管理、负载切换、逆变器和LED驱动等领域。它的高效性能和可靠性使其成为许多电子产品中不可或缺的关键元件。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1.5 A |
Id-连续漏极电流 | 1.5 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?91192 |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFL110PBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRFL110PBFIRFL110PBF |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 540 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 540 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 16 ns |
下降时间 | 9.4 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 180pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.3nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 540 毫欧 @ 900mA,10V |
产品种类 | Single-Gate MOSFET Transistors |
供应商器件封装 | SOT-223 |
典型关闭延迟时间 | 15 ns |
功率-最大值 | 2W |
功率耗散 | 2 W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 540 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223-3 |
工厂包装数量 | 80 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 4,000 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 1.5 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.5A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |