ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRFL024ZTRPBF
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRFL024ZTRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFL024ZTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFL024ZTRPBF价格参考¥1.18-¥1.39。International RectifierIRFL024ZTRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 55V 5.1A(Ta) 1W(Ta) SOT-223。您可以下载IRFL024ZTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFL024ZTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223MOSFET MOSFT 55V 5.1A 57.5mOhm 9.1nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 5.1 A |
Id-连续漏极电流 | 5.1 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFL024ZTRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFL024ZTRPBF |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 2.8 W |
Pd-功率耗散 | 2.8 W |
Qg-GateCharge | 14 nC |
Qg-栅极电荷 | 14 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 57.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 57.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
上升时间 | 21 ns |
下降时间 | 23 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 340pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 57.5 毫欧 @ 3.1A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-223 |
其它名称 | IRFL024ZTRPBF-ND |
功率-最大值 | 1W |
功率耗散 | 2.8 W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 57.5 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223-3 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
栅极电荷Qg | 14 nC |
标准包装 | 2,500 |
正向跨导-最小值 | 6.2 S |
汲极/源极击穿电压 | 55 V |
漏极连续电流 | 5.1 A |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.1A (Ta) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfl024z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfl024z.spi |
配置 | Single |