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  • 型号: IRFL024ZTRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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IRFL024ZTRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFL024ZTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFL024ZTRPBF价格参考¥1.18-¥1.39。International RectifierIRFL024ZTRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 55V 5.1A(Ta) 1W(Ta) SOT-223。您可以下载IRFL024ZTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFL024ZTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223MOSFET MOSFT 55V 5.1A 57.5mOhm 9.1nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

5.1 A

Id-连续漏极电流

5.1 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFL024ZTRPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRFL024ZTRPBF

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

2.8 W

Pd-功率耗散

2.8 W

Qg-GateCharge

14 nC

Qg-栅极电荷

14 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

57.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

57.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

21 ns

下降时间

23 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

340pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

14nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

57.5 毫欧 @ 3.1A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-223

其它名称

IRFL024ZTRPBF-ND
IRFL024ZTRPBFTR

功率-最大值

1W

功率耗散

2.8 W

包装

带卷 (TR)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

57.5 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223-3

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

栅极电荷Qg

14 nC

标准包装

2,500

正向跨导-最小值

6.2 S

汲极/源极击穿电压

55 V

漏极连续电流

5.1 A

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.1A (Ta)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfl024z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfl024z.spi

配置

Single

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