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Datasheet下载- 型号： IRFIZ48NPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRFIZ48NPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFIZ48NPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFIZ48NPBF价格参考。International RectifierIRFIZ48NPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 55V 40A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak。您可以下载IRFIZ48NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFIZ48NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 40A TO220FPMOSFET MOSFT 55V 36A 16mOhm 59.3nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 36 A |
| Id-连续漏极电流 | 36 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFIZ48NPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFIZ48NPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 42 W |
| Pd-功率耗散 | 42 W |
| Qg-GateCharge | 59.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 59.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 16 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 89nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 22A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB 整包 |
| 其它名称 | *IRFIZ48NPBF |
| 功率-最大值 | 54W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfiz48n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfiz48n.spi |
