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IRFI630GPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFI630GPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFI630GPBF价格参考。VishayIRFI630GPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 5.9A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3。您可以下载IRFI630GPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFI630GPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRFI630GPBF是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于多种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几种: 1. 开关电源:在开关模式电源(SMPS)中,IRFI630GPBF用于实现高效的电压转换和调节。它能够快速切换导通和截止状态,从而提高电源效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动:该器件适用于各种电机驱动电路,如步进电机、直流无刷电机等。通过精确控制电流,它可以有效驱动电机运转,并提供过流保护功能,确保系统稳定运行。 3. 逆变器与变频器:在太阳能逆变器、工业变频器等应用中,IRFI630GPBF可以作为功率级元件,用于将直流电转换为交流电或改变频率,以适应不同负载需求。 4. 电池管理系统(BMS):用于电动汽车、储能系统等领域中的电池管理,负责监控电池状态并执行充放电控制任务。IRFI630GPBF在此类系统中承担着关键角色,如预充电路、均衡电路中的开关元件。 5. LED照明驱动:在大功率LED灯具中,这款MOSFET可用于构建恒流源电路,保证LED发光亮度的一致性和稳定性,同时具备良好的散热性能,延长使用寿命。 总之,由于其低导通电阻(Rds(on))、高击穿电压(V(BR)DSS)以及出色的热特性,IRFI630GPBF非常适合用作高效能、高可靠性的功率开关,在众多电力转换和控制系统中发挥重要作用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FPMOSFET N-Chan 200V 5.9 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 5.9 A |
Id-连续漏极电流 | 5.9 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFI630GPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRFI630GPBFIRFI630GPBF |
Pd-PowerDissipation | 35 W |
Pd-功率耗散 | 35 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 400 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 400 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 28 ns |
下降时间 | 20 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 800pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 400 毫欧 @ 3.5A,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
其它名称 | *IRFI630GPBF |
典型关闭延迟时间 | 39 ns |
功率-最大值 | 35W |
功率耗散 | 35 W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 400 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 200 V |
漏极连续电流 | 5.9 A |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.9A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |