ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFI630G
Datasheet下载- 型号： IRFI630G
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFI630G由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFI630G价格参考。VishayIRFI630G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 200V 5.9A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3。您可以下载IRFI630G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFI630G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRFI630G是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效开关和功率管理的场景。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）：IRFI630G适用于各种开关电源设计，包括DC-DC转换器、反激式变换器和正激式变换器。其低导通电阻和高击穿电压特性使其能够承受高压环境并实现高效的功率转换。 2. 电机驱动：该MOSFET可用于驱动中小型直流电机或步进电机。其快速开关特性和低损耗有助于提高电机控制系统的效率，并减少发热问题。 3. 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中，IRFI630G可以作为功率开关元件使用，帮助将直流电转换为交流电。其耐压能力高达500V，适合高压应用场合。 4. 负载切换：用于汽车电子设备或工业控制系统中的负载切换电路，确保可靠地接通或断开大电流负载。 5. 脉宽调制（PWM）控制器：由于具备良好的动态性能，这款MOSFET非常适合用作PWM信号放大级中的开关器件，以调节输出电压或电流。 6. 不间断电源（UPS）系统：在UPS的设计中，IRFI630G可参与电池充放电管理以及输出稳压过程，保障电力供应稳定。 总之，凭借其出色的电气参数（如高耐压、低导通电阻等），IRFI630G成为众多电力电子项目中的理想选择，尤其适用于那些要求高效能、小尺寸且成本敏感的应用领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91148 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFI630G |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 400 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | *IRFI630G |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.9A （Tc） |
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