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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFI630G由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFI630G价格参考。VishayIRFI630G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 5.9A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3。您可以下载IRFI630G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFI630G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91148 |
产品图片 | |
产品型号 | IRFI630G |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 800pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 400 毫欧 @ 3.5A,10V |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
其它名称 | *IRFI630G |
功率-最大值 | 35W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.9A (Tc) |