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IRFI530NPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFI530NPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFI530NPBF价格参考。International RectifierIRFI530NPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 12A(Tc) 41W(Tc) TO-220AB 整包。您可以下载IRFI530NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFI530NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFI530NPBF是一种N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于多种电子设备中。它具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适用于需要高效能、高可靠性的电路设计。 应用场景: 1. 电源管理: - IRFI530NPBF常用于开关电源(SMPS)的设计中,作为主开关管或同步整流管。其低导通电阻有助于减少功耗,提高电源转换效率。 - 在DC-DC转换器中,它可以实现高效的电压调节,适用于笔记本电脑、手机充电器等便携式设备的电源模块。 2. 电机驱动: - 该MOSFET可用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机(BLDC)。由于其快速的开关特性和低损耗,能够有效控制电机的速度和方向,广泛应用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。 3. 逆变器与变频器: - 在太阳能逆变器、UPS不间断电源以及变频空调等设备中,IRFI530NPBF可以作为关键的功率开关元件,实现交流电与直流电之间的转换,确保系统的稳定运行。 4. 脉宽调制(PWM)控制器: - MOSFET在PWM电路中起到开关作用,通过调整占空比来控制输出功率。IRFI530NPBF适用于LED驱动、音频放大器等场合,提供精确的功率控制。 5. 保护电路: - 在过流保护、短路保护等电路中,IRFI530NPBF可以用作限流元件或断开开关,防止电路因异常情况而损坏。其快速响应特性使得它能够在故障发生时迅速切断电流路径,保护其他敏感组件。 6. 高频应用: - 由于其出色的开关速度和较低的寄生电容,IRFI530NPBF也适合用于高频信号处理和射频(RF)电路中,如无线通信设备中的功率放大器前端。 总之,IRFI530NPBF凭借其优异的电气性能和可靠性,在各种电力电子系统中扮演着重要角色,是现代电子产品中不可或缺的关键元器件之一。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 100V 12A TO220FPMOSFET MOSFT 100V 11A 110mOhm 29.3nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
Id-连续漏极电流 | 11 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFI530NPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFI530NPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 33 W |
Pd-功率耗散 | 33 W |
Qg-GateCharge | 29.3 nC |
Qg-栅极电荷 | 29.3 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 110 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 110 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 640pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 110 毫欧 @ 6.6A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB 整包 |
其它名称 | *IRFI530NPBF |
功率-最大值 | 41W |
功率耗散 | 33 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 110 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 29.3 nC |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 11 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfi530n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfi530n.spi |
闸/源击穿电压 | 20 V |