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IRFI4212H-117P产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFI4212H-117P由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFI4212H-117P价格参考。International RectifierIRFI4212H-117P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 100V 11A 18W 通孔 TO-220-5 整包。您可以下载IRFI4212H-117P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFI4212H-117P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 11A TO-220FP-5MOSFET MOSFT DUAL NCh 100V 11A 5-Pin |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
Id-连续漏极电流 | 11 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFI4212H-117P- |
数据手册 | |
产品型号 | IRFI4212H-117P |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 18 W |
Pd-功率耗散 | 18 W |
Qg-GateCharge | 12 nC |
Qg-栅极电荷 | 12 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 58 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 58 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 8.3 ns |
下降时间 | 4.3 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 490pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 72.5 毫欧 @ 6.6A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220-5 整包 |
其它名称 | IRFI4212H117P |
典型关闭延迟时间 | 9.5 ns |
功率-最大值 | 18W |
功率耗散 | 18 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 58 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-5 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 12 nC |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 11 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Half-Bridge |
闸/源击穿电压 | 20 V |