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  • 型号: IRFI4212H-117P
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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IRFI4212H-117P产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFI4212H-117P由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFI4212H-117P价格参考。International RectifierIRFI4212H-117P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 100V 11A 18W 通孔 TO-220-5 整包。您可以下载IRFI4212H-117P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFI4212H-117P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 11A TO-220FP-5MOSFET MOSFT DUAL NCh 100V 11A 5-Pin

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

11 A

Id-连续漏极电流

11 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFI4212H-117P-

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产品型号

IRFI4212H-117P

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

18 W

Pd-功率耗散

18 W

Qg-GateCharge

12 nC

Qg-栅极电荷

12 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

58 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

58 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

8.3 ns

下降时间

4.3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

490pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

18nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

72.5 毫欧 @ 6.6A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220-5 整包

其它名称

IRFI4212H117P

典型关闭延迟时间

9.5 ns

功率-最大值

18W

功率耗散

18 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

58 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-5 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

12 nC

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

11 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11A

通道模式

Enhancement

配置

Half-Bridge

闸/源击穿电压

20 V

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