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  • 型号: IRFI4212H-117P
  • 制造商: International Rectifier
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IRFI4212H-117P产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFI4212H-117P由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFI4212H-117P价格参考。International RectifierIRFI4212H-117P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 100V 11A 18W 通孔 TO-220-5 整包。您可以下载IRFI4212H-117P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFI4212H-117P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号IRFI4212H-117P属于晶体管 - FET,MOSFET - 阵列类别,其应用场景主要集中在需要高效功率转换和开关控制的领域。以下是该型号的主要应用场景:

 1. 电源管理
   - IRFI4212H-117P适用于各种电源管理系统,包括DC-DC转换器、AC-DC适配器以及开关模式电源(SMPS)。其低导通电阻和快速开关特性能够显著提高电源效率,减少能量损耗。

 2. 电机驱动
   - 在小型电机驱动应用中,如家用电器(风扇、泵)、电动工具和自动化设备,该MOSFET阵列可以实现高效的电流控制和速度调节。其多通道设计适合多相电机驱动。

 3. 电池管理系统(BMS)
   - 用于电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)或便携式电子设备的电池保护电路中,提供过流保护、短路保护和充放电控制功能。

 4. 通信设备
   - 在基站、路由器和其他通信设备中,作为功率开关元件,支持高效信号传输和电源分配。

 5. 消费电子产品
   - 应用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的充电器及内部电源管理模块,确保设备在高负载下的稳定运行。

 6. 工业自动化
   - 在可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器和工业机器人中,用于精确控制电流和电压,提升系统的响应速度和可靠性。

 7. 照明系统
   - 用于LED驱动电路中,提供稳定的电流输出以确保LED灯的亮度一致性和长寿命。

 特性优势:
   - 低导通电阻:降低功耗,提高效率。
   - 多通道设计:简化电路布局,减少外部元件需求。
   - 高频率操作能力:适合现代高频开关应用。
   - 优异的热性能:有助于散热管理,延长产品寿命。

总之,IRFI4212H-117P凭借其高性能参数和可靠性,广泛应用于各类电力电子设备中,满足不同行业对高效功率转换的需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 11A TO-220FP-5MOSFET MOSFT DUAL NCh 100V 11A 5-Pin

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

11 A

Id-连续漏极电流

11 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFI4212H-117P-

数据手册

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产品型号

IRFI4212H-117P

PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

18 W

Pd-功率耗散

18 W

Qg-GateCharge

12 nC

Qg-栅极电荷

12 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

58 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

58 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

8.3 ns

下降时间

4.3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

490pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

18nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

72.5 毫欧 @ 6.6A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220-5 整包

其它名称

IRFI4212H117P

典型关闭延迟时间

9.5 ns

功率-最大值

18W

功率耗散

18 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

58 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-5 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

12 nC

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

11 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11A

通道模式

Enhancement

配置

Half-Bridge

闸/源击穿电压

20 V

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