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IRFI4212H-117P产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFI4212H-117P由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFI4212H-117P价格参考。International RectifierIRFI4212H-117P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 100V 11A 18W 通孔 TO-220-5 整包。您可以下载IRFI4212H-117P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFI4212H-117P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号IRFI4212H-117P属于晶体管 - FET,MOSFET - 阵列类别,其应用场景主要集中在需要高效功率转换和开关控制的领域。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理 - IRFI4212H-117P适用于各种电源管理系统,包括DC-DC转换器、AC-DC适配器以及开关模式电源(SMPS)。其低导通电阻和快速开关特性能够显著提高电源效率,减少能量损耗。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动应用中,如家用电器(风扇、泵)、电动工具和自动化设备,该MOSFET阵列可以实现高效的电流控制和速度调节。其多通道设计适合多相电机驱动。 3. 电池管理系统(BMS) - 用于电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)或便携式电子设备的电池保护电路中,提供过流保护、短路保护和充放电控制功能。 4. 通信设备 - 在基站、路由器和其他通信设备中,作为功率开关元件,支持高效信号传输和电源分配。 5. 消费电子产品 - 应用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的充电器及内部电源管理模块,确保设备在高负载下的稳定运行。 6. 工业自动化 - 在可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器和工业机器人中,用于精确控制电流和电压,提升系统的响应速度和可靠性。 7. 照明系统 - 用于LED驱动电路中,提供稳定的电流输出以确保LED灯的亮度一致性和长寿命。 特性优势: - 低导通电阻:降低功耗,提高效率。 - 多通道设计:简化电路布局,减少外部元件需求。 - 高频率操作能力:适合现代高频开关应用。 - 优异的热性能:有助于散热管理,延长产品寿命。 总之,IRFI4212H-117P凭借其高性能参数和可靠性,广泛应用于各类电力电子设备中,满足不同行业对高效功率转换的需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 11A TO-220FP-5MOSFET MOSFT DUAL NCh 100V 11A 5-Pin |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
Id-连续漏极电流 | 11 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFI4212H-117P- |
数据手册 | |
产品型号 | IRFI4212H-117P |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 18 W |
Pd-功率耗散 | 18 W |
Qg-GateCharge | 12 nC |
Qg-栅极电荷 | 12 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 58 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 58 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 8.3 ns |
下降时间 | 4.3 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 490pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 72.5 毫欧 @ 6.6A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220-5 整包 |
其它名称 | IRFI4212H117P |
典型关闭延迟时间 | 9.5 ns |
功率-最大值 | 18W |
功率耗散 | 18 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 58 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-5 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 12 nC |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 11 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Half-Bridge |
闸/源击穿电压 | 20 V |