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  • 型号: IRFHS9301TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFHS9301TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFHS9301TRPBF价格参考¥1.96-¥1.96。International RectifierIRFHS9301TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 6A(Ta),13A(Tc) 2.1W(Ta) 6-PQFN(2x2)。您可以下载IRFHS9301TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFHS9301TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET P-CH 30V 6A PQFNMOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 37mOhms 6.9nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 13 A

Id-连续漏极电流

- 13 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFHS9301TRPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRFHS9301TRPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

2.1 W

Pd-功率耗散

2.1 W

Qg-GateCharge

6.9 nC

Qg-栅极电荷

6.9 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

65 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

65 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.4V @ 25µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

580pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

13nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

37 毫欧 @ 7.8A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-PQFN(2x2)

功率-最大值

2.1W

包装

带卷 (TR)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-VQFN

封装/箱体

PQFN-6 2x2

工厂包装数量

4000

晶体管极性

P-Channel

标准包装

4,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6A (Ta), 13A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfhs9301.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfhs9301.spi

配置

Single Quint Drain Dual Source

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