ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFHS9301TRPBF
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Datasheet下载- 型号： IRFHS9301TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFHS9301TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFHS9301TRPBF价格参考￥1.96-￥1.96。International RectifierIRFHS9301TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 6A（Ta），13A（Tc） 2.1W（Ta） 6-PQFN（2x2）。您可以下载IRFHS9301TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFHS9301TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFHS9301TRPBF 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。它具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等优点，适用于多种电力电子应用。以下是该器件的一些典型应用场景： 1. 电源管理 IRFHS9301TRPBF 常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC Converter）和电池充电器等电源管理系统中。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高电源效率。在这些应用中，MOSFET作为开关元件，通过高频开关来调节输出电压或电流。 2. 电机驱动 在电动工具、家用电器、工业自动化设备等领域，IRFHS9301TRPBF 可用于驱动直流电机、无刷直流电机（BLDC）和其他类型的电机。它能够承受较大的电流波动，并且具备良好的散热性能，确保电机在高负载下的稳定运行。 3. 汽车电子 该器件广泛应用于汽车电子系统中，如电动助力转向（EPS）、燃油泵控制、空调压缩机驱动等。其高可靠性和抗干扰能力使其能够在严苛的车载环境中稳定工作。此外，它还适用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的高压电路保护和能量回收系统。 4. 消费电子产品 在笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备的充电接口和电源管理模块中，IRFHS9301TRPBF 也发挥着重要作用。它可以帮助实现高效的电源转换，延长电池续航时间。 5. 通信设备 在基站、路由器等通信设备中，IRFHS9301TRPBF 可用于电源管理和信号调理电路。其快速开关特性有助于提高系统的响应速度和稳定性，同时降低电磁干扰（EMI）。 总之，IRFHS9301TRPBF 凭借其优异的电气性能和可靠性，在众多电力电子应用中表现出色，特别是在需要高效功率转换和精确电流控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 6A PQFNMOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 37mOhms 6.9nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 13 A |
| Id-连续漏极电流 | - 13 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFHS9301TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFHS9301TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| Qg-GateCharge | 6.9 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6.9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 65 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 580pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 37 毫欧 @ 7.8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-PQFN（2x2） |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-VQFN |
| 封装/箱体 | PQFN-6 2x2 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Ta）， 13A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfhs9301.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfhs9301.spi |
| 配置 | Single Quint Drain Dual Source |
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