ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFHS9301TRPBF
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Datasheet下载- 型号： IRFHS9301TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFHS9301TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFHS9301TRPBF价格参考￥1.96-￥1.96。International RectifierIRFHS9301TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 6A（Ta），13A（Tc） 2.1W（Ta） 6-PQFN（2x2）。您可以下载IRFHS9301TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFHS9301TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFHS9301TRPBF是一款单通道增强型N沟道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。它具有低导通电阻和高开关速度，适用于多种电力电子应用。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理： - DC-DC转换器：在降压、升压或升降压转换器中，IRFHS9301TRPBF可以作为主开关元件，实现高效的电压转换。 - 开关电源（SMPS）：用于笔记本电脑适配器、手机充电器等设备中的功率级开关，提高效率并减少热量产生。 2. 电机驱动： - 无刷直流电机（BLDC）：在电动工具、家用电器和工业自动化设备中，该MOSFET可用于驱动BLDC电机，提供高效且可靠的电流控制。 - 步进电机：在精密定位系统中，如3D打印机、数控机床等，它可以精确控制步进电机的电流，确保运动的准确性和稳定性。 3. 电池管理系统（BMS）： - 保护电路：在锂电池组或其他类型的电池管理系统中，IRFHS9301TRPBF可以用作充放电路径上的开关，防止过流、短路等情况，保护电池安全。 - 均衡电路：通过调节不同电池单元之间的电压差异，延长电池寿命并提高整体性能。 4. 汽车电子： - 车身控制系统：如车窗升降、座椅调节等功能模块中的负载驱动，提供快速响应和可靠操作。 - 辅助驾驶系统：例如自适应巡航控制、自动紧急制动等高级驾驶辅助系统（ADAS）中的信号处理与执行机构控制。 5. 消费电子产品： - 智能家居设备：包括智能灯具、温控器等产品的电源管理和信号切换任务。 - 音频放大器：用作输出级开关，以提升音质表现并降低功耗。 总之，IRFHS9301TRPBF凭借其优异的电气特性，在各种需要高效能、低损耗和高可靠性的应用场景中发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 6A PQFNMOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 37mOhms 6.9nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 13 A |
| Id-连续漏极电流 | - 13 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFHS9301TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFHS9301TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| Qg-GateCharge | 6.9 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6.9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 65 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 580pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 37 毫欧 @ 7.8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-PQFN（2x2） |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-VQFN |
| 封装/箱体 | PQFN-6 2x2 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Ta）， 13A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfhs9301.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfhs9301.spi |
| 配置 | Single Quint Drain Dual Source |
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