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Datasheet下载- 型号： IRFHS8342TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFHS8342TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFHS8342TRPBF价格参考。International RectifierIRFHS8342TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 8.8A（Ta），19A（Tc） 2.1W（Ta） PG-TSDSON-6。您可以下载IRFHS8342TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFHS8342TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFHS8342TRPBF是一款高性能的MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要用于需要高效能、低损耗和高可靠性的电力电子应用中。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理 IRFHS8342TRPBF广泛应用于各种电源管理系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC适配器。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性使得它在这些应用中能够显著降低功耗，提高效率。特别是在笔记本电脑、智能手机充电器等便携式设备的电源设计中，这款MOSFET可以有效减少发热，延长设备的使用寿命。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，IRFHS8342TRPBF可以用于控制电机的速度和方向。由于其具备良好的电流承载能力和快速的开关速度，它可以有效地驱动无刷直流电机（BLDC）、步进电机等。此外，该器件的低栅极电荷（Qg）有助于减少开关损耗，从而提高系统的整体效率，特别适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备中的电机控制系统。 3. 汽车电子 汽车行业中，IRFHS8342TRPBF常用于车身控制模块（BCM）、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）等。其AEC-Q101认证确保了其在严苛的汽车环境下的可靠性。此外，该MOSFET的耐高温特性和抗电磁干扰能力使其非常适合用于车载逆变器、LED照明驱动等应用。 4. 消费电子产品 在消费电子产品领域，如智能音箱、智能家居设备等，IRFHS8342TRPBF可用于音频放大器、传感器接口等电路中。其紧凑的封装形式（TO-252/DPak）和低热阻特性使得它在小型化设计中具有明显优势，同时保证了高效能和稳定性。 5. 工业控制 在工业控制领域，如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等设备中，IRFHS8342TRPBF可以用于功率级电路的设计。其高击穿电压（Vds）和大电流处理能力使其能够在恶劣的工作环境下稳定运行，确保工业设备的可靠性和安全性。 总之，IRFHS8342TRPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛适用于多种电力电子应用，尤其在需要高效能和高可靠性的场合表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFNMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 4.2nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 19 A |
| Id-连续漏极电流 | 19 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFHS8342TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFHS8342TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| Qg-GateCharge | 4.2 nC |
| Qg-栅极电荷 | 4.2 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.35 V to 2.35 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.35 V to 2.35 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 8.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-PQFN（2x2） |
| 典型关闭延迟时间 | 5.2 ns |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 功率耗散 | 2.1 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 25 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-VQFN |
| 封装/箱体 | PQFN-6 2x2 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 4.2 nC |
| 标准包装 | 4,000 |
| 正向跨导-最小值 | 18 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 19 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.8A （Ta）， 19A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfhs8342.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfhs8342.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Dual Source |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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