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  • 型号: IRFHS8342TR2PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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IRFHS8342TR2PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFHS8342TR2PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFHS8342TR2PBF价格参考。International RectifierIRFHS8342TR2PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 8.8A(Ta),19A(Tc) 2.1W(Ta) PG-TSDSON-6。您可以下载IRFHS8342TR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFHS8342TR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFNMOSFET MOSFT 30V 8.5A 16mOhm 4.2 Qg

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

8.8 A

Id-连续漏极电流

8.8 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFHS8342TR2PBFHEXFET®

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产品型号

IRFHS8342TR2PBF

PCN组件/产地

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PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

2.1 W

Pd-功率耗散

2.1 W

Qg-GateCharge

8.7 nC

Qg-栅极电荷

8.7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

16 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

16 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

15 ns

下降时间

5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.35V @ 25µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

600pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8.7nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

16 毫欧 @ 8.5A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-PQFN(2x2)

其它名称

IRFHS8342TR2PBFCT

典型关闭延迟时间

5.2 ns

功率-最大值

2.1W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-PowerVQFN

封装/箱体

PQFN-6 2x2

工厂包装数量

400

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

18 S

漏源极电压(Vdss)

30V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/InternationalRectifier/pqfn2x2.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8.8A (Ta), 19A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfhs8342.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfhs8342.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single

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